[发明专利]一种感光电路及指纹识别器件在审
申请号: | 202111537844.6 | 申请日: | 2021-12-15 |
公开(公告)号: | CN114220134A | 公开(公告)日: | 2022-03-22 |
发明(设计)人: | 海晓泉;王迎姿;陈小川 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G06V40/13 | 分类号: | G06V40/13 |
代理公司: | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人: | 崔家源;范继晨 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 感光 电路 指纹识别 器件 | ||
1.一种感光电路,其特征在于,至少包括:
多个感光像素区域,其中,每个感光像素区域对应一个显示像素区域;
相邻感光像素区域包括的感光PIN的数量不同,第一感光像素区域包括一个第一感光PIN,与所述第一感光像素区域相邻的第二感光像素区域包括两个第二感光PIN,每个感光PIN均与上电极连接,其中,设置一个所述第一感光PIN的总面积与两个第二感光PIN的总面积相同,设置一个所述第一感光PIN上的上电极覆盖区域的总面积与两个第二感光PIN上的上电极覆盖区域的总面积相同。
2.如权利要求1所述的感光电路,其特征在于,
设置第一感光像素区域中上电极覆盖区域的数量与第二感光像素区域中上电极覆盖区域的数量相同。
3.如权利要求2所述的感光电路,其特征在于,
设置每个所述第二感光PIN仅包括一个上电极覆盖区域,设置所述第一感光PIN包括两个上电极覆盖区域,所述两个上电极覆盖区域分别位于所述第一感光PIN的两端。
4.如权利要求1所述的感光电路,其特征在于,
设置每个所述第二感光PIN仅包括一个上电极覆盖区域,设置所述第一感光PIN仅包括一个上电极覆盖区域。
5.如权利要求1至4中任一项所述的感光电路,其特征在于,第一感光PIN和第二感光PIN的形状均为长方形,上电极覆盖区域为正方形或圆形。
6.如权利要求5所述的感光电路,其特征在于,
设置第一感光PIN、第二感光PIN和上电极覆盖区域的设计同时满足以下公式:
DL*DS=2*dL*dS;
DL*DS-2(dX)^2=2*(dL*dS-(dX)^2);
其中,DL为所述第一感光PIN的长边,DS为所述第一感光PIN的短边,dL为所述第二感光PIN的长边,dS为第二感光PIN的短边,dX为上电极覆盖区域的边长或直径。
7.如权利要求6所述的感光电路,其特征在于,
DL的取值范围为3um-40um;DS的取值范围为3um-40um;dL的取值范围为1um-20um;DS的取值范围为1um-20um;dX的取值范围为1um-10um。
8.如权利要求6所述的感光电路,其特征在于,
感光PIN的横向宽度与所述显示像素区域的像素阳极设计满足以下公式:
感光PIN的横向宽度≤DX-2h*tanδ;
其中,感光PIN的横向宽度为dS或DS,h为像素阳极与感光PIN空间垂直距离,DX为相邻像素阳极的横向宽度,δ为反射体反射回的光线的最大角度。
9.如权利要求8所述的感光电路,其特征在于,δ取值范围为65°-80°,h取值范围为2um-6um,DX取值范围为16um-25um。
10.一种指纹识别器件,其特征在于,至少包括:权利要求1至9中任一项所述的感光电路。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111537844.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:地震速报信息发布系统
- 下一篇:一种基于薄弱点的习题推荐方法、装置及存储介质