[发明专利]一种柔性透明圆锥体有序阵列构筑的SERS衬底制备方法在审
申请号: | 202111539434.5 | 申请日: | 2021-12-15 |
公开(公告)号: | CN114199854A | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
发明(设计)人: | 王星;冯素娟;刘广强;尚亮;孟路平;唐志兵 | 申请(专利权)人: | 曲阜师范大学 |
主分类号: | G01N21/65 | 分类号: | G01N21/65 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人: | 许富强 |
地址: | 273100 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 柔性 透明 圆锥体 有序 阵列 构筑 sers 衬底 制备 方法 | ||
1.一种柔性透明圆锥体有序阵列构筑的SERS衬底制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤1.先对剪好的PI薄膜进行超声波清洗,同时配制500nm规格的PS球液体,待PI薄膜清洗干燥完后备用;
步骤2.对清理干净的PI薄膜进行PS球转移,将PS球铺在PI薄膜的表面,备用;
步骤3.将铺好PS球的PI薄膜进行反应离子刻蚀,所用的气体为SF6和O2,其中,SF6流量为40sccm,O2流量为20sccm;
步骤4.对反应离子刻蚀过的PI薄膜进行磁控溅射镀膜。
2.根据权利要求1所述的柔性透明圆锥体有序阵列构筑的SERS衬底制备方法,其特征在于,步骤1中,PI薄膜的厚度为20μm。
3.根据权利要求1所述的柔性透明圆锥体有序阵列构筑的SERS衬底制备方法,其特征在于,步骤1中所用的500nm规格的PS球为掩膜,是通过改变反应离子刻蚀中的实验条件形成。
4.根据权利要求1所述的柔性透明圆锥体有序阵列构筑的SERS衬底制备方法,其特征在于,步骤3中,反应离子刻蚀所用的功率为150W。
5.根据权利要求1所述的柔性透明圆锥体有序阵列构筑的SERS衬底制备方法,其特征在于,步骤5中,磁控溅射镀膜中沉积的金属为Au和Ag,沉积时间分别为50s和100s。
6.根据权利要求1所述的柔性透明圆锥体有序阵列构筑的SERS衬底制备方法,其特征在于,还包括在扫描电镜下观察实验后的PI薄膜,得到纳米结构图像。
7.根据权利要求1所述的柔性透明圆锥体有序阵列构筑的SERS衬底制备方法,其特征在于,还包括将刻蚀180s的样品,浸入在10-6mol/l ATP溶液中不同位置的拉曼光谱图。
8.根据权利要求1-7中任意一项所述的柔性透明圆锥体有序阵列构筑的SERS衬底制备方法,其特征在于,制得的SERS衬底,是一个拥有空心圆锥体有序阵列构成的柔性透明衬底。
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