[发明专利]高压LDMOS器件及其制备方法

权利要求书

1.一种高压LDMOS器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底上形成有依次堆叠的衬垫氧化层、氮化硅层和硬掩膜层；

刻蚀所述硬掩膜层、所述氮化硅层和所述衬垫氧化层至所述衬底表面以形成第一沟槽；

刻蚀所述第一沟槽底壁的所述衬底以形成第二沟槽；

采用热氧化炉管工艺在所述第二沟槽中形成一定厚度的隔离层，所述隔离层的上表面与所述衬底的上表面齐平；

刻蚀所述硬掩膜层、所述氮化硅层、所述衬垫氧化层、部分厚度的所述衬底和部分厚度的所述隔离层以形成第三沟槽和定义出所述衬底中的有源区区域；

形成介质层，所述介质层填充所述第三沟槽；以及，

去除所述氮化硅层、所述衬垫氧化层和部分厚度的所述介质层至所述衬底表面，剩余厚度的所述介质层的上表面与所述衬底的上表面齐平。

2.根据权利要求1所述的高压LDMOS器件的制备方法，其特征在于，采用热氧化炉管工艺在所述第二沟槽中形成一定厚度的所述隔离层的过程中，炉管中通入的氧气与所述第二沟槽中暴露的所述衬底发生氧化反应以生成所述隔离层。

3.根据权利要求2所述的高压LDMOS器件的制备方法，其特征在于，所述第二沟槽在宽度上的尺寸小于所述隔离层在宽度上的尺寸的十一分之五。

4.根据权利要求1所述的高压LDMOS器件的制备方法，其特征在于，采用选择性刻蚀工艺刻蚀所述硬掩膜层、所述氮化硅层、所述衬垫氧化层、部分厚度的所述衬底和部分厚度的所述隔离层以形成碗状的所述第三沟槽。

5.根据权利要求4所述的高压LDMOS器件的制备方法，其特征在于，刻蚀去除的所述衬底的厚度为刻蚀去除的所述隔离层的厚度为

6.根据权利要求4所述的高压LDMOS器件的制备方法，其特征在于，剩余厚度的所述隔离层的厚度大于10μm。

7.根据权利要求1所述的高压LDMOS器件的制备方法，其特征在于，在刻蚀所述硬掩膜层、所述氮化硅层、所述衬垫氧化层、部分厚度的所述衬底和部分厚度的所述隔离层以形成所述第三沟槽和定义出所述有源区区域之后、以及在形成所述介质层之前，所述高压LDMOS器件的制备方法还包括：

去除剩余的所述硬掩膜层。

8.根据权利要求1所述的高压LDMOS器件的制备方法，其特征在于，所述介质层的材质为氧化硅。

9.根据权利要求1所述的高压LDMOS器件的制备方法，其特征在于，所述硬掩膜层的材质为氧化硅。

10.一种高压LDMOS器件，其特征在于，包括：衬底、隔离层和介质层，其中，所述隔离层和所述介质层均位于所述衬底中，所述介质层位于所述隔离层的顶端，所述介质层的上表面与所述衬底的上表面齐平。