[发明专利]发光装置和投影仪

说明书

本发明提供发光装置和投影仪。该发光装置能够减小发光强度在电极的外缘附近的降低量。发光装置具有n个柱状部和向所述n个柱状部注入电流的电极，所述n个柱状部各自具有第1半导体层、导电型与所述第1半导体层不同的第2半导体层以及设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间的发光层，从所述第1半导体层与所述发光层的层叠方向观察时，所述n个柱状部中的p个第1柱状部不与所述电极的外缘重叠，所述n个柱状部中的q个第2柱状部与所述电极的外缘重叠，所述q个第2柱状部中的中心与所述电极重叠的第2柱状部的数量比中心不与所述电极重叠的第2柱状部的数量多。其中，n＝p+q。

技术领域

本发明涉及发光装置和投影仪。

背景技术

半导体激光器被期待作为高亮度的下一代光源。其中，期待应用了纳米柱的半导体激光器通过基于纳米柱的光子晶体的效应而能够以窄放射角实现高输出的发光。

例如，在专利文献1中，记载了具有依次层叠n型GaN层、发光层、p型GaN层而成的多个纳米柱的半导体发光元件。在这样的发光元件中，使纳米柱成长为二维阵列状，在纳米柱上形成电极。

专利文献1：日本特开2007-27298号公报

在上述那样的发光元件中，特别是若密集地设置纳米柱，则在电极的外缘处存在只与电极的一部分重叠的纳米柱。若在电极的外缘处存在只与电极的一部分重叠的纳米柱，则在电极的外缘附近，与电极的中央相比，有时发光强度降低。

发明内容

本发明的一个方式为发光装置，其具有n个柱状部和向所述n个柱状部注入电流的电极，所述n个柱状部各自具有：第1半导体层；第2半导体层，该第2半导体层的导电型与所述第1半导体层不同；以及发光层，其设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间，从所述第1半导体层与所述发光层的层叠方向观察时，所述n个柱状部中的p个第1柱状部不与所述电极的外缘重叠，所述n个柱状部中的q个第2柱状部与所述电极的外缘重叠，所述q个第2柱状部中的中心与所述电极重叠的第2柱状部的数量比中心不与所述电极重叠的第2柱状部的数量多。其中，n＝p+q。

本发明的一个方式为投影仪，其具有上述发光装置。

附图说明

图1是示意性地示出第1实施方式的发光装置的俯视图。

图2是示意性地示出第1实施方式的发光装置的剖视图。

图3是示意性地示出第1实施方式的发光装置的剖视图。

图4是示意性地示出第1实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。

图5是示意性地示出第1实施方式的第1变形例的发光装置的剖视图。

图6是示意性地示出第1实施方式的第1变形例的发光装置的剖视图。

图7是示意性地示出第1实施方式的第2变形例的发光装置的俯视图。

图8是示意性地示出第1实施方式的第2变形例的发光装置的剖视图。

图9是示意性地示出第1实施方式的第2变形例的发光装置的剖视图。

图10是示意性地示出第2实施方式的发光装置的俯视图。

图11是示意性地示出第2实施方式的发光装置的剖视图。

图12是示意性地示出第2实施方式的发光装置的剖视图。

图13是示意性地示出第2实施方式的变形例的发光装置的剖视图。

图14是示意性地示出第2实施方式的变形例的发光装置的剖视图。

图15是示意性地示出第3实施方式的发光装置的俯视图。

图16是示意性地示出第4实施方式的发光装置的俯视图。