[发明专利]一种化学镀铜的活化工艺及其应用在审

专利信息
申请号: 202111542329.7 申请日: 2021-12-16
公开(公告)号: CN115369390A 公开(公告)日: 2022-11-22
发明(设计)人: 孙宇曦;曾庆明;王群 申请(专利权)人: 广东硕成科技股份有限公司
主分类号: C23C18/30 分类号: C23C18/30;C23C18/18;C23C18/38;H05K3/00;H05K3/42
代理公司: 上海微策知识产权代理事务所(普通合伙) 31333 代理人: 吕姿颖
地址: 512600 广东省韶关市乳*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 化学 镀铜 活化 工艺 及其 应用
【说明书】:

发明涉及H05K技术领域,更具体地,本发明涉及一种化学镀铜的活化工艺及其应用。化学镀铜的活化工艺,包括:水洗、预浸、活化、二次预浸、二次水洗。本申请中化学镀铜的活化工艺不仅使孔内薄铜、无铜现象出现的几率大大降低,同时减少了钯的浪费,减轻了废水的处理负担,具有较好的经济效益和社会效益,同时本申请中预浸步骤钯浓度可控制在1‑60ppm,即使钯浓度降低到1ppm也不会自我分解和团聚。

技术领域

本发明涉及H05K技术领域,更具体地,本发明涉及一种化学镀铜的活化工艺及其应用。

背景技术

PCB板是电子工业的重要部件之一,目前对PCB板孔金属化的活化工艺包括水洗、预浸、活化和水洗的步骤,然而该步骤不仅造成了贵金属钯的浪费,同时造成了大量的废水。例如:CN201510468464通过采用水洗、预浸、活化后清水水洗两次后进行速化,然后进行化学镀铜,该方法将直接导致钯的浪费,造成清洗废水的增加,此外,活化剂中Sn2+、Pd2+胶体离子不适用于低钯浓度作业,在低钯状态含Sn2+、Pd2+胶体离子的溶液自身也会团聚、分解,并没有有效解决钯金属的无效消耗,例如201310018549.9中活化剂中的Sn2+、Pd2+胶体离子导致具有团聚的风险。

发明内容

针对现有技术中存在的一些问题,本发明第一个方面提供了一种化学镀铜的活化工艺,包括:水洗、预浸、活化、二次预浸、二次水洗。

在一种实施方式中,所述水洗的时间为1-10min,可以列举的有1min、1.2min、1.5min、1.8min、2min、2.5min、3min、4min、5min、6min、7min、8min、9min、10min等,优选为1-2min。

在一种实施方式中,水洗步骤中,滴水的时间为5-30s,可以列举的有5s、10s、15s、20s、25s、30s等,优选为10-20s。

本申请在水洗步骤的滴水时间控制在5-30s,尤其是10-20s,此时不仅避免了过多的水分进入预浸槽,使得预浸槽中预浸液浓度保持一定的稳定性和各处均匀性,同时该滴水时间的控制下,板面以及孔壁浸润程度促进了预浸液对孔壁的作用。

本申请所述水洗的温度不作特别限定,本领域技术人员可作常规选择,优选为25℃。

本申请中水洗可以清洗板面残留的微蚀剂。

本申请中水洗步骤中,水洗时间和滴水时间相辅相成,在较短的水洗时间内可以有效避免残留的微蚀剂对后续活化的影响。

在一种实施方式中,所述预浸的温度为40-60℃,可以列举的有40℃、45℃、48℃、50℃、55℃、60℃等,优选为45-50℃。

在一种实施方式中,所述预浸的时间为1-8min,可以列举的有1min、1.5min、2min、2.5min、3min、3.5min、4min、4.5min、5min、6min、7min、8min等,优选为1-4min。

申请人意外的发现,在本申请特定的水洗步骤中,当预浸的时间为1-4min时,此时对孔壁的活化程度较为均一,使得在预浸操作阶段,低钯可以均匀作用于孔壁,有利于后期沉铜的均匀性。

在一种实施方式中,所述预浸的pH为8-11,可以列举的有8.5、9、9.2、9.5、10、11等,优选为8.5-9.5。

在一种实施方式中,预浸的步骤中,滴水时间为15-30s,可以列举的有15s、20s、25s、30s等。

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