[发明专利]光刻胶灵敏度的检测方法及检测系统

说明书

本申请提供一种光刻胶灵敏度的检测方法及检测系统。该光刻胶灵敏度的检测方法包括：量测待测光刻胶层的初始厚度值；基于预设透光率的掩模板对所述待测光刻胶层进行曝光、显影；量测经所述显影处理后所述待测光刻胶层的测试厚度值；基于所述初始厚度值和所述测试厚度值确定所述待测光刻胶层对应的待测光刻胶的灵敏度。该方法能够对光刻胶的灵敏度进行检测。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种光刻胶灵敏度的检测方法及检测系统。

背景技术

光刻胶被广泛应用于显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形加工领域。然而，在高端光刻胶替代过程中，无法对光刻胶的灵敏度进行检测。

发明内容

本申请提供一种光刻胶灵敏度的检测方法及检测系统，旨在解决现有在高端光刻胶替代过程中，无法对光刻胶的灵敏度进行检测的问题。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种光刻胶灵敏度的检测方法，该方法包括：量测待测光刻胶层的初始厚度值；基于预设透光率的掩模板对所述待测光刻胶层进行曝光、显影；量测经所述显影处理后所述待测光刻胶层的测试厚度值；基于所述初始厚度值和所述测试厚度值确定所述待测光刻胶层对应的待测光刻胶的灵敏度。

其中，基于所述初始厚度值和所述测试厚度值确定所述待测光刻胶层对应的待测光刻胶的灵敏度的步骤具体包括：基于所述初始厚度值和所述测试厚度值的差值确定所述待测光刻胶层对应的待测光刻胶的灵敏度，所述待测光刻胶的灵敏度＝(H₀-H₁)╳E₀；

其中，H₀为待测光刻胶层的初始厚度值；H₁为待测光刻胶层的测试厚度值；E₀为待测光刻胶的曝光阈值。

其中，所述掩模板整体都是非透光区。

其中，所述基于预设透光率的掩模板对所述待测光刻胶层进行曝光、显影的步骤包括：制备预设透光率的掩模板；基于所述预设透光率的掩模板以预设曝光能量对所述待测光刻胶层进行曝光；对所述待测光刻胶层进行烘烤；基于预设程式对所述待测光刻胶层进行显影。

其中，在量测待测光刻胶层的初始厚度值的步骤之前，还包括：提供待测光刻胶；在半导体衬底上涂敷所述待测光刻胶以形成所述待测光刻胶层。

其中，所述预设透光率为4％、8％或10％。

其中，所述掩模板包括层叠设置的相位移涂层、铬层以及玻璃层；其中，所述相位移涂层的透光率为6％。

其中，所述相位移涂层、铬层以及玻璃层大小相同。

为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种光刻胶灵敏度的检测系统。该检测系统包括：光刻装置，用于基于预设透光率的掩模板对待测光刻胶层进行曝光、显影处理；量测装置，用于量测所述待测光刻胶层的初始厚度值，以及经所述显影处理后所述待测光刻胶层的测试厚度值；灵敏度检测装置，用于基于所述初始厚度值和所述测试厚度值确定所述待测光刻胶层对应的待测光刻胶的灵敏度。

其中，所述灵敏度检测装置具体用于基于所述初始厚度值和所述测试厚度值的差值确定所述待测光刻胶层对应的待测光刻胶的灵敏度；其中，所述待测光刻胶的灵敏度＝(H₀-H₁)╳E₀；

其中，H₀为待测光刻胶层的初始厚度值；H₁为待测光刻胶层的测试厚度值；E₀为待测光刻胶的曝光阈值。