[发明专利]一种低剖面介质天线

权利要求书

1.一种低剖面介质天线，其特征在于，包括自上到下依次设置的低剖面辐射贴片结构(1)、中间层介质基板(3)及底层介质基板(4)，其中，低剖面辐射贴片结构(1)上两个相对的端面上均设置有缝隙结构(2)，所述缝隙结构(2)内设置有银涂层，中间层介质基板(3)与底层介质基板(4)之间设置有金属底板平面层(5)，所述金属底板平面层(5)的中部开设有一字型的耦合缝隙，底层介质基板(4)的底部设置有微带馈线结构(6)，其中，金属底板平面层(5)与微带馈线结构(6)组成馈电结构。

2.根据权利要求1所述的低剖面介质天线，其特征在于，中间层介质基板(3)及底层介质基板(4)的材质为树脂材料。

3.根据权利要求1所述的低剖面介质天线，其特征在于，馈电结构的材质为金属铜。

4.根据权利要求1所述的低剖面介质天线，其特征在于，低剖面辐射贴片结构(1)采用陶瓷线切割技术加工而成。

5.根据权利要求1所述的低剖面介质天线，其特征在于，所述银涂层在制备时，先将银浆涂抹于缝隙结构(2)上，再进行高温烧结。

6.根据权利要求1所述的低剖面介质天线，其特征在于，低剖面辐射贴片结构(1)的材质为高品质因数CTLA钙钛矿固溶体微波介质陶瓷材料。

7.根据权利要求6所述的低剖面介质天线，其特征在于，高品质因数CTLA钙钛矿固溶体微波介质陶瓷材料的相对介电常数为ε_r～44.8，品质因数为Q×f～43950GHz@3.67，Q＝1/tanδ，谐振频率温度系数为TCF～0ppm/℃。

8.根据权利要求1所述的低剖面介质天线，其特征在于，低剖面辐射贴片结构(1)的介电常数为44.8，损耗角为8.3×10^-5，厚度为1mm；

中间层介质基板(3)的厚度为1.524mm；

底层介质基板(4)的厚度为0.813mm。