[发明专利]一种采用光学浮区法制备铝酸锶单晶体的工艺

权利要求书

1.一种采用光学浮区法制备铝酸锶单晶体的工艺，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1)配料：根据化合反应方程式SrCO₃+Al₂O₃→SrAl₂O₄+CO₂将纯度≥99.8％的原料SrCO₃、Al₂O₃按比例使用电子天平精准称量后置于烧杯中；

步骤2)搅拌：在步骤1)称重后的原料烧杯中加入无水乙醇，按照SrCO₃、Al₂O₃总质量：无水乙醇质量比＝1：5，放入磁力转子并将烧杯置于磁力搅拌器上搅拌24小时使原料充分混合均匀；

步骤3)烘干：将按照上述步骤搅拌结束的样品烧杯置于85℃烘干箱中烘干24小时，至无水乙醇完全挥发；

步骤4)前驱料棒制备：将烘干后的样品粉末置于圆柱形模具中，并由等静压机40～60MPa高压下压致成型；

步骤5)烧结：将制备好的前驱料棒置于高温炉中1350摄氏度下烧结24小时形成多晶陶瓷料棒；

步骤6)晶体生长：将多晶陶瓷料棒置于光学浮区炉中进行单晶体的生长，生长速度5mm/小时，生长时间6小时；

步骤7)退火处理：将生长出的单晶体置于1350摄氏度高温炉中进行退火处理以消除残余应力，进一步改善晶体质量。

2.根据权利要求1所述的一种采用光学浮区法制备铝酸锶单晶体的工艺，其特征在于：所述步骤6)中光学浮区炉的温度为1500-2500℃。