[发明专利]功率半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括：

半导体衬底；

位于所述半导体衬底上的外延层；

位于所述外延层中的第一介质槽和第二介质槽，所述第一介质槽和所述第二介质槽内填充有第一介质层；

位于所述第一介质槽内的栅氧化层、控制栅和屏蔽栅；

位于所述第一介质槽和所述第二介质槽两侧的源区和漏区；

其中，所述控制栅由外延层表面延伸至所述第一介质槽上部，所述屏蔽栅由外延层表面延伸至所述第一介质槽下部，所述栅氧化层将所述控制栅和所述屏蔽栅、所述控制栅和所述外延层隔开。

2.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第一介质槽和所述第二介质槽之间的第一间距为0.3～2μm。

3.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第一介质槽和所述第二介质槽的宽度为3～5μm。

4.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第一介质槽和所述第二介质槽的深度为5～50μm。

5.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第一介质槽和所述第二介质槽的底部与所述外延层底部之间的第二间距为2～10μm。

6.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述屏蔽栅的底部与所述第一介质槽的底部之间的第三间距为0.3～0.8μm。

7.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述控制栅的长度为1～3μm。

8.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述外延层的厚度为8～60μm。

9.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述功率半导体器件包括多个第二介质槽，其中，所述多个第二介质槽之间的第四间距为1-3μm。

10.根据权利要求9所述的功率半导体器件，其特征在于，所述功率半导体器件的最高工作电压越大，第二介质槽的个数越多。

11.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述控制栅和所述屏蔽栅向所述源区所在的一侧偏离所述第一介质槽的中心，其中，所述控制栅与所述源区之间的距离小于所述屏蔽栅与所述源区之间的距离。

12.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，还包括：

位于外延层中的体区，所述体区位于第一介质槽远离第二介质槽的一侧；

位于体区内的体接触区，所述体接触区与所述源区邻接；

其中，所述源区位于所述体区中；所述漏区位于第二介质槽远离第一介质槽的一侧。

13.根据权利要求12所述的功率半导体器件，其特征在于，还包括：

位于外延层中的第一槽底注入区和第二槽底注入区；

其中，所述第一槽底注入区围绕所述第一介质槽的底部；所述第二槽底注入区围绕所述第二介质槽的底部；

所述第一槽底注入区和所述第二槽底注入区相互分离或者连通成一体。

14.根据权利要求12所述的功率半导体器件，其特征在于，还包括：

第二介质层，覆盖在所述外延层表面上；

布线层，所述布线层包括第一布线层和第二布线层，所述第一布线层与所述源区以及体接触区相接触，所述第二布线层与所述漏区相接触；

其中，所述第一布线层和所述第二布线层由第二介质层隔开。

15.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述半导体衬底的掺杂类型为第一掺杂类型，所述外延层的掺杂类型为第二掺杂类型，所述源区和漏区的掺杂类型为第二掺杂类型，第一掺杂类型和第二掺杂类型相反。