[发明专利]金刚石半导体系统及方法在审
| 申请号： | 202111546963.8 | 申请日： | 2012-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN114420747A | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 亚当·卡恩 | 申请（专利权）人： | 阿克汗技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/16 | 分类号： | H01L29/16;H01L29/868;H01L21/22;H01L21/329;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 张瑞;陆建萍 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金刚石 半导体 系统 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体系统，包括：
具有n型供体原子和金刚石晶格的金刚石材料，所述金刚石晶格具有离子轨道和在所述离子轨道中的置换掺杂原子，其中所述离子轨道在293°K至298°K产生。
2.根据权利要求1所述的半导体系统，其中所述金刚石材料被结合到二极管中。
3.根据权利要求1所述的半导体系统，其中所述金刚石材料是本征金刚石。
4.根据权利要求1所述的半导体系统，其中所述离子轨道使用硼产生。
5.根据权利要求1所述的半导体系统，其中所述离子轨道使用受体掺杂原子产生。
6.根据权利要求1所述的半导体系统，其中所述置换掺杂原子在78°K或低于78°K引入。
7.根据权利要求1所述的半导体系统，其中所述置换掺杂原子在小于500keV引入。
8.根据权利要求1所述的半导体系统，其中所述置换掺杂原子在140keV且以6度偏移引入。
9.根据权利要求1所述的半导体系统，其中所述置换掺杂原子是磷。
10.一种半导体系统，包括：
具有n型供体原子和金刚石晶格的金刚石材料，所述金刚石晶格具有离子轨道和在所述离子轨道中的置换掺杂原子，
其中所述置换掺杂原子是磷并且以在8x1017/cm3至2x1018/cm3的范围内的浓度引入。
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