[发明专利]运算放大器电路及芯片在审
申请号: | 202111547146.4 | 申请日: | 2021-12-16 |
公开(公告)号: | CN114499416A | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
发明(设计)人: | 许志刚;范艳根 | 申请(专利权)人: | 深圳芯盛微电子有限公司 |
主分类号: | H03F1/30 | 分类号: | H03F1/30;H03F3/45 |
代理公司: | 深圳五邻知识产权代理事务所(普通合伙) 44590 | 代理人: | 胡明 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山区西丽街道*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 运算放大器 电路 芯片 | ||
1.一种运算放大器电路,其特征在于,所述运算放大器电路包括相连的输入模块和运算放大器,所述运算放大器包括输出级和输入级,所述输入级包括主输入差分对管和辅助输入差分对管,其中,
所述输入模块,用于接收输入信号并转换得到差分输入信号和失调电压信号;
所述主输入差分对管,用于对所述差分输入信号进行放大处理,得到第一放大信号;
所述辅助输入差分对管,用于对所述失调电压信号进行放大处理,得到第二放大信号,并与所述第一放大信号输入至所述输出级,以减小所述运算放大器的失调电压。
2.如权利要求1所述的运算放大器电路,其特征在于,所述主输入差分对管的输入端、所述辅助输入差分对管的输入端分别与第一电流源和第二电流源相连之后连接,形成连接第一端,所述连接第一端与电源端相连;
所述主输入差分对管的输出端、所述辅助输入差分对管的输出端连接,形成连接第二端,所述连接第二端与所述输出级相连;
所述主输入差分对管的控制端用于接收所述输入模块输出的差分输入信号;所述辅助输入差分对管的控制端用于接收所述输入模块输出的失调电压信号。
3.如权利要求2所述的运算放大器电路,其特征在于,所述主输入差分对管包括第一金属氧化物半导体场效应晶体管(MOS管)和第二MOS管,所述差分输入信号包括第一差分信号和第二差分信号;
所述第一MOS管的控制端用于接收所述第一差分信号,输入端与所述第一电流源的输出端相连,输出端连接至所述输出级的其中一组共源共栅结构的MOS管的中间节点;
所述第二MOS管的控制端用于接收所述第二差分信号,输入端与所述第一电流源的输出端相连,输出端连接至所述输出级的另一组共源共栅结构的MOS管的中间节点。
4.如权利要求3所述的运算放大器电路,其特征在于,所述辅助输入差分对管包括第三MOS管和第四MOS管,所述失调电压信号包括第一失调电压信号和第二失调电压信号;
所述第三MOS管的控制端用于接收所述第一失调电压信号,输入端与所述第二电流源的输出端相连,输出端连接至所述输出级的其中一组共源共栅结构的MOS管的中间节点;
所述第四MOS管的控制端用于接收所述第二失调电压信号,输入端与所述第二电流源的输出端相连,输出端连接至所述输出级的其中一组共源共栅结构的MOS管的中间节点。
5.如权利要求4所述的运算放大器电路,其特征在于,所述第一MOS管的输出端和所述第三MOS管的输出端,直接连接至所述输出级的其中一组共源共栅结构的MOS管的中间节点;
所述第二MOS管的输出端和所述第四MOS管的输出端,直接连接至所述输出级的另一组共源共栅结构的MOS管的中间节点。
6.如权利要求4所述的运算放大器电路,其特征在于,所述第一MOS管的输出端和所述第三MOS管的输出端,通过差分对连接模块连接至所述输出级的其中一组共源共栅结构的MOS管的中间节点;
所述第二MOS管的输出端和所述第四MOS管的输出端,通过差分对连接模块连接至所述输出级的另一组共源共栅结构的MOS管的中间节点。
7.如权利要求1所述的运算放大器电路,其特征在于,所述主输入差分对管中的MOS管和所述辅助输入差分对管中的MOS管属于相同类型。
8.如权利要求1所述的运算放大器电路,其特征在于,所述主输入差分对管中的MOS管和所述辅助输入差分对管中的MOS管属于不同类型。
9.如权利要求1至8任一项所述的运算放大器电路,其特征在于,所述输出级包括输出端、至少两组共源共栅结构的MOS管,其中,
至少两组共源共栅结构的MOS管的中间节点,与所述输入级的输出相连;
所述输出端,用于输出经所述运算放大器减小失调电压的放大信号。
10.一种芯片,其特征在于,所述芯片包括如权利要求1至9任一项所述的运算放大器电路。
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