[发明专利]一种薄膜晶体管以及显示装置在审
申请号: | 202111547152.X | 申请日: | 2021-12-16 |
公开(公告)号: | CN114333721A | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 李志生;曹丹;李文芳 | 申请(专利权)人: | 苏州华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G09G3/36 | 分类号: | G09G3/36 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 王芳芳 |
地址: | 215000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 薄膜晶体管 以及 显示装置 | ||
1.一种薄膜晶体管,其特征在于,所述薄膜晶体管在工作驱动时每一帧有一个空白区,所有画面的模拟电源的电流相同;
在集中分散控制系统拉低时启动侦测,当电流值超过阈值电流时,会启动过流保护;当电流值不超过阈值电流时,则不启动过流保护。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,包括
控制板;
电源管理集成电路,所述电源管理集成电路包括第一输入端、第二输入端以及输出端,所述第一输入端连接至所述控制板,所述第二输入端连接至一电阻,所述输出端连接至一MOS管。
3.如权利要求2所述的薄膜晶体管,其特征在于,
所述输出端连接至所述MOS管的栅极,所述第二输入端连接至所述MOS管的源漏极;
所述电阻的一端连接至所述MOS管的源漏极,其另一端接地。
4.如权利要求3所述的薄膜晶体管,其特征在于,还包括:
一二极管的一端连接至所述MOS管的源漏极,其另一端连接至模拟电源。
5.如权利要求4所述的薄膜晶体管,其特征在于,
所述电源管理集成电路包括:
一非门,其一端连接至所述输入端,其另一端连接至一与门的输入端;
所述与门的另一输入端连接至一比较器,所述与门的输出端连接至一控制器;
所述控制器的输出端即为所述电源管理集成电路的输出端;
所述比较器的输入端即为所述第二输入端。
6.如权利要求5所述的薄膜晶体管,其特征在于,
在所述薄膜晶体管的显示区内,
所述控制板给所述电源管理集成电路输入高电平信号,所述高电平信号经过所述非门后输出低电平,再经过所述与门输出低电平,所述控制器的信号正常输出,不会启动过流保护功能。
7.如权利要求5所述的薄膜晶体管,其特征在于,
在所述薄膜晶体管的空白区内,
所述控制板给所述电源管理集成电路输入低电平信号,所述低电平信号经过所述非门后输出高电平,如果所述模拟电源的电流大于所述阈值电流,传感电压大于参考电压,则所述比较器输出高电平,所述与门的输出端输出高电平,启动过流保护功能,所述控制器的输出端不输出;如果所述模拟电源的电流小于所述阈值电流,传感电压小于参考电压,则所述比较器输出低电平,所述与门的输出端输出低电平,不启动过流保护功能,所述控制器的输出端正常输出。
8.如权利要求2所述的薄膜晶体管,其特征在于还包括:
一电感的一端连接至所述MOS管的源漏极。
9.如权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,还包括:
一电容的一端连接至所述二极管远离所述MOS管的一端,其另一端接地。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1~9中任一项所述的薄膜晶体管。
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