[发明专利]晶片筛选方法

说明书

一种晶片筛选方法，包括：提供待封装晶圆，所述待封装晶圆包括若干晶片；对若干所述晶片进行失效检测，在所述若干晶片中获取第一失效晶片和初始通过晶片；获取所述初始通过晶片在待封装晶圆中的第一位置信息；对若干所述晶片进行风险检测，在所述若干晶片中获取第一风险晶片；获取第一风险晶片在所述待封装晶圆中的第二位置信息；当所述第一风险晶片在所述待封装晶圆中的第二位置信息与初始通过晶片在待封装晶圆中的第一位置信息相同时，标记所述初始通过晶片为第二失效晶片。所述方法能够提高出货良率，降低报废率。

技术领域

本发明涉及半导体测试领域，尤其涉及一种晶片筛选方法。

背景技术

晶圆上的产品需要晶片测试(Chip Probing，简称CP测试)完成后出货给客户，需保证晶片测试通过晶片的质量。

晶片测试旨在快速筛选出工艺异常的晶片，但无法有效筛选可能存在可靠性风险的晶片。具体地，晶片测试筛选出的工艺异常的晶片，其附近晶片测试通过的晶片可能存在可靠性失效的风险。

因此，工艺异常的低良晶圆，如何筛选出晶片测试通过但可能存在可靠性失效的晶片，该问题需要解决以提高低良晶圆出货信心、降低报废数量。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种晶片筛选方法，以提高低良晶圆出货信心、降低报废数量。

为解决上述技术问题，本发明技术方案提供一种晶片筛选方法，包括：提供待封装晶圆，所述待封装晶圆包括若干晶片；对若干所述晶片进行失效检测，在所述若干晶片中获取第一失效晶片和初始通过晶片；获取所述初始通过晶片在待封装晶圆中的第一位置信息；对若干所述晶片进行风险检测，在所述若干晶片中获取第一风险晶片；获取第一风险晶片在所述待封装晶圆中的第二位置信息；当所述第一风险晶片在所述待封装晶圆中的第二位置信息与初始通过晶片在待封装晶圆中的第一位置信息相同时，标记所述初始通过晶片为第二失效晶片。

可选的，所述失效检测的方式包括短路检测或断路检测。

可选的，在所述若干晶片中获取第一失效晶片和初始通过晶片的方法包括：若所述晶片短路或断路，则判断所述晶片为第一失效晶片；若所述晶片未短路且未断路，则判断所述晶片为初始通过晶片。

可选的，所述风险检测的方式包括连接性测试、时序修正测试、电压修正测试、擦除测试、写入测试、读取测试或压力测试。

可选的，所述电压修正测试的方法包括：提供若干电压档位值；采用各电压档位值对若干所述晶片进行测试，直至所述晶片测试通过，获取各所述晶片测试通过时对应的电压档位值。

可选的，在所述若干晶片中获取第一风险晶片的方法包括：根据各所述晶片测试通过时对应的电压档位值获取第一风险晶片：若所述晶片测试通过时对应的电压档位值大于预设值，则判断所述晶片为第一风险晶片。

可选的，获取所述初始通过晶片在待封装晶圆中的第一位置信息的方法包括：根据初始通过晶片及其在待封装晶圆上对应的位置，获取所述初始通过晶片在晶圆上的第一分布，所述第一分布为所述初始通过晶片在待封装晶圆中的第一位置信息。

可选的，获取第一风险晶片在所述待封装晶圆中的第二位置信息的方法包括：根据第一风险晶片及其在待封装晶圆上对应的位置，获取所述第一风险晶片在晶圆上的第二分布，所述第二分布为第一风险晶片在所述待封装晶圆中的第二位置信息。

可选的，还包括：当所述第一风险晶片在所述待封装晶圆中的第二位置信息与初始通过晶片在待封装晶圆中的第一位置信息不同时，标记所述初始通过晶片为通过晶片。

可选的，获取通过晶片和第二失效晶片之后，还包括：回收报废第一失效晶片和第二失效晶片。

可选的，获取通过晶片和第二失效晶片之后，还包括：对所述通过晶片进行封装。