[发明专利]多晶硅层的制造方法、显示装置及显示装置的制造方法

说明书

本发明提供一种多晶硅层的制造方法、显示装置及显示装置的制造方法。一种多晶硅层的制造方法包括如下步骤：在基板上形成非晶硅层；对所述非晶硅层掺杂杂质；利用氢氟酸(hydrofluoric acid)清洗所述非晶硅层；利用添加有氢的去离子水冲洗所述非晶硅层；以及向所述非晶硅层照射激光束而形成多晶硅层。

技术领域

本发明涉及一种多晶硅层的制造方法、显示装置及显示装置的制造方法。

背景技术

有源矩阵型(AM：Active Matrix type)有机发光显示装置的各个像素配备有像素电路，并且所述像素电路可以包括利用硅的薄膜晶体管。作为构成所述薄膜晶体管的硅，可以使用非晶硅或多晶硅。

在用于所述像素电路的非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFT：amorphous silicon TFT)中，由于构成源极、漏极和沟道的有源层是非晶硅，因此可以具有1cm²/Vs以下的较低的电子迁移率。据此，近来，具有用多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT：polycrystalline siliconTFT)代替所述非晶硅薄膜晶体管的趋势。所述多晶硅薄膜晶体管相比于所述非晶硅薄膜晶体管电子迁移率较大，并且对于光的照射的稳定性优异。因此，所述多晶硅薄膜晶体管可以适合用作AM有机发光显示装置的驱动晶体管和/或开关晶体管的有源层。

这样的多晶硅可以通过多种方法制造，其大致可以区分为直接沉积多晶硅的方法和沉积非晶硅之后将其结晶化的方法。

直接沉积多晶硅的方法有化学气相沉积(CVD：chemical vapor deposition)、溅射(sputtering)、真空沉积(vacuum evaporation)等方法。

另外，在沉积非晶硅之后结晶化的方法有固相结晶化(SPC：solid phasecrystallization)、准分子激光结晶化(ELC：excimer laser crystallization)、金属诱导结晶化(MIC：metal induced crystallization)、金属诱导横向结晶化(MILC：metalinduced lateral crystallization)、循序性侧向结晶化(SLS：sequential lateralsolidification)等方法。

发明内容

本发明期望解决的技术问题在于提供一种多晶硅层的圆形斑点得到改善的多晶硅层的制造方法。

本发明期望解决的另一技术问题在于提供一种包括配备有圆形斑点得到改善的有源图案的薄膜晶体管的显示装置。

本发明期望解决的又一技术问题在于提供一种有源图案的圆形斑点得到改善的显示装置的制造方法。

本发明的技术问题并不限于以上提及的技术问题，本领域技术人员可以从以下记载明确理解未提及的其他技术问题。

用于解决所述技术问题的根据一实施例的一种多晶硅层的制造方法包括如下步骤：在基板上形成非晶硅层；对所述非晶硅层掺杂杂质；利用氢氟酸(hydrofluoric acid)清洗所述非晶硅层；利用添加有氢的去离子水冲洗所述非晶硅层；以及向所述非晶硅层照射激光束而形成多晶硅层。

用于解决所述技术问题的根据另一实施例的一种显示装置包括：基板；薄膜晶体管，布置于所述基板上；以及显示元件，布置于所述薄膜晶体管上，其中，所述薄膜晶体管包括：有源图案，布置于所述基板上；栅极绝缘膜，布置于所述有源图案上；以及栅极电极，布置于所述栅极绝缘膜上，所述有源图案的表面粗糙度的有效值为4nm以下，在所述有源图案与所述栅极绝缘膜之间还布置有硅氧化膜。