[发明专利]过渡金属沉积方法

权利要求书

1.一种通过循环沉积过程在衬底上沉积来自第4至6族中任一族的过渡金属的方法，该方法包括：

在反应室中提供衬底；

以气相向反应室提供过渡金属前体；以及

以气相向反应室提供反应物，以在衬底上形成过渡金属；其中，

过渡金属前体包括来自第4至6族中任一族的过渡金属，反应物包括选自Si,Ge或Sn的第14族元素。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述过渡金属前体包括第6族过渡金属。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，是第6族过渡金属是钼或钨。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第6族过渡金属是钼。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述过渡金属前体包括金属-有机前体或有机金属前体。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述过渡金属前体包括附加配体。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述附加配体是卤化物。

8.根据权利要求5所述的方法，其中，所述过渡金属前体包括苯或环戊二烯基。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述反应物包括有机基团。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述反应物具有通式R_aMX_b或R_cX_dM-MR_cX_d，其中a是0-3，b是4-a，c是0、1或2，d是3-c，R是烃，M是Si,Ge或Sn，并且每个X独立地是任何配体。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，R是烷基或芳基。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，X是氢、取代或未取代的烷基或芳基或卤素。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，X是取代的烷基或芳基，并且其中取代基与M相同。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，所述过渡金属前体以脉冲供应，反应物以脉冲供应，并且在过渡金属前体和反应物的连续脉冲之间吹扫反应室。

15.根据权利要求1所述的方法，其中，所述反应室中的压力在0.1至100托之间。

16.根据权利要求1所述的方法，其中，所述循环沉积过程包括热沉积过程。

17.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底包括介电表面，并且过渡金属沉积在介电表面上。

18.根据权利要求1所述的方法，其中，过渡金属作为层沉积在衬底上。

19.一种通过循环沉积过程生产的过渡金属层，该循环沉积过程包括：

在反应室中提供衬底；

以气相向反应室提供过渡金属前体；以及

以气相向反应室提供反应物，以在衬底上形成过渡金属；其中，

过渡金属前体包括来自第4至6族中任一族的过渡金属，反应物包括选自Si,Ge或Sn的第14族元素。

20.根据权利要求19所述的层，具有约15μΩcm至约300μΩcm的电阻率，比如20μΩcm、50μΩcm、100μΩcm、150μΩcm或200μΩcm。

21.一种用于在衬底上沉积过渡金属的沉积组件，包括：

一个或多个反应室，其构造和布置成保持衬底；

前体注射器系统，其构造和布置成以气相将过渡金属前体和/或反应物提供到反应室中；

其中，所述沉积组件包括前体容器，其构造和布置成包含过渡金属前体，所述过渡金属前体包括来自第4至6族中任一族的过渡金属；以及

反应物容器，其构造和布置成包含包括选自Si,Ge或Sn的第14族元素；并且

该组件构造和布置成通过前体注射器系统向反应室提供过渡金属前体和/或反应物，以在衬底上沉积过渡金属。