[发明专利]一种外置晶振补偿电容微调的通信系统及其控制方法在审
申请号: | 202111550066.4 | 申请日: | 2021-12-17 |
公开(公告)号: | CN114337653A | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 孙梓钧;黎任明;刘德波 | 申请(专利权)人: | 青岛联众芯云科技有限公司 |
主分类号: | H03L1/02 | 分类号: | H03L1/02 |
代理公司: | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人: | 张贵宾 |
地址: | 266300 山东省青岛市胶州市胶东街*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 外置 补偿 电容 微调 通信 系统 及其 控制 方法 | ||
1.一种外置晶振补偿电容微调的通信系统,包括芯片端、模块板以及测试工装上位机外接晶振,其特征在于,
芯片端设计有可调节电容阵列,
模块板设计有晶振外接匹配电容,
测试工装上位机通过寄存器配置实现晶振电容微调补偿。
2.根据权利要求1所述的一种外置晶振补偿电容微调的通信系统及其控制方法,其特征在于,所述可调节电容阵列可配置为多范围容值选择,数量级通常为fF级别,以满足对于频偏的微调。
3.根据权利要求2所述的一种外置晶振补偿电容微调的通信系统及其控制方法,其特征在于,所述芯片端设计有OSC_IN端和OSC_OUT端,OSC_IN端设计有可调节电容阵列为MOM(Metal-Oxide-Metal)电容。
4.根据权利要求1所述的一种外置晶振补偿电容微调的通信系统及其控制方法,其特征在于,所述模块板设计有晶振外接匹配电容包括CL1和CL2,均为使用高质量的典型值在5pF到25pF的陶瓷电容。
5.根据权利要求4所述的一种外置晶振补偿电容微调的通信系统及其控制方法,其特征在于,所述模块板设计有晶振外接匹配电容晶振为25MHz,晶振负载电容为8pF,则外接匹配电容可选为9pF,两个匹配电容串联为9/2=4.5pF,另需考虑寄生电容的影响,通常为3~5pF,则匹配电容4.5pF加寄生电容3~5pF达到7.5~9.5pF的范围,可满足负载电容8pF的需求。
6.根据权利要求1所述的一种外置晶振补偿电容微调的通信系统及其控制方法,其特征在于,所述测试工装上位机通过寄存器配置,调整外部晶振的内置补偿电容的大小。
7.根据权利要求6所述的一种外置晶振补偿电容微调的通信系统及其控制方法,其特征在于,所述寄存器中用1bit设置为外部晶振微调使能位,5bit设置为补偿电容的修正值控制位,其中补偿电容修正值控制位的默认位设为01111,其对应的容值为1.875pF,其修整范围为0fF~3750fF,步进为125fF,即步进为1.2ppm,则通过控制寄存器可调整的最大频偏为3750/125=36ppm,即可调整的范围为0~36ppm。
8.根据权利要求1所述的一种外置晶振补偿电容微调的通信系统及其控制方法,其特征在于, 当前所设计的通信模块的晶振频率为25MHz,在模块进行出厂测试时,首先通过模块测试工装的内置频率计,读取模块当前的频率并记录下来是否是25MHz,如果满足25MHz,则不需要进行频率补偿;如果不满足25MHz,则通过配置寄存器增加或减小芯片端内置的可调电容,通过调整匹配电容进而调整晶振的频偏,从而使晶振频率满足25MHz。
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