[发明专利]一种智能新型漏电保护插座在审

专利信息
申请号: 202111551216.3 申请日: 2021-12-17
公开(公告)号: CN114078669A 公开(公告)日: 2022-02-22
发明(设计)人: 林云华 申请(专利权)人: 温州华亚电气有限公司
主分类号: H01H71/24 分类号: H01H71/24;H01H71/50;H01H71/12;H01R13/66;H01R13/713;H01R13/717;H01R24/76
代理公司: 温州知西思悟专利代理事务所(普通合伙) 33379 代理人: 姚丙乾
地址: 325600 浙江省温州市乐清市北*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 智能 新型 漏电 保护 插座
【权利要求书】:

1.一种智能新型漏电保护插座,其特征在于,包括上盖、底座以及中层支架,所述上盖上设置有复位按钮,所述复位按钮的一端连接有联动轴,所述中层支架上设置有金属导电片,所述底座内设置有线路板,所述线路板上设置有脱扣装置,所述脱扣装置包括脱扣器、锁扣元件以及电磁组件,所述脱扣器包括一体成型的第一腔室和位于第一腔室两侧的第二腔室,所述第一腔室的上端面开设有与第一腔室相通的第一开口,所述第一腔室的第一侧面和第二侧面开设有第二开口,所述第二开口与所述第一腔室相通,所述第二腔室的上端面形成夹持口,所述夹持口内设置有导通片,所述导通片与所述金属导电片接触或断开,所述电磁组件包括脱扣铁芯、脱扣弹簧以及安置架,所述脱扣铁芯的端部与所述锁扣元件联动连接,所述锁扣元件的一端与所述联动轴联动连接,且位于所述第一腔室内。

2.根据权利要求1所述的一种智能新型漏电保护插座,其特征在于,所述锁扣元件上形成有第一联动孔和第二联动孔,所述第一联动孔靠近所述脱扣铁芯一侧设置,所述第二联动孔靠近所述联动轴一侧设置,所述联动轴上设置有卡块,所述卡块随所述联动轴从所述第二联动孔中来回移动,所述脱扣铁芯的端部于所述第一联动孔内来回移动,所述第二联动孔的尺寸沿第一方向减小,所述卡块的最大直径大于所述第二联动孔中的最小内径。

3.根据权利要求2所述的一种智能新型漏电保护插座,其特征在于,所述线路板上还设置有磁环组件,所述磁环组件的顶部设置有接触片,所述接触片的一端穿过磁环组件与所述线路板电连接,另外一端与所述导通片电连接。

4.根据权利要求3所述的一种智能新型漏电保护插座,其特征在于,所述底座上对应联动轴的位置设置有导向插孔。

5.根据权利要求4所述的一种智能新型漏电保护插座,其特征在于,所述底座的两个侧面上开设有接线孔,所述接线孔内设置有接线端子,所述接线端子上设置有接线螺钉,所述接线端子的外侧面与所述接线孔所在侧面位于同一水平面内。

6.根据权利要求5所述的一种智能新型漏电保护插座,其特征在于,所述上盖上开设有插头孔以及指示灯孔。

7.根据权利要求6所述的一种智能新型漏电保护插座,其特征在于,所述底座的两个侧面上设置有卡扣块,所述上盖对应设置有挂扣,所述挂扣内形成挂扣腔,通过挂扣腔与所述卡扣块适配实现底座与上盖的固定连接。

8.根据权利要求6所述的一种智能新型漏电保护插座,其特征在于,所述线路板上设有监测保护电路,监测保护电路内含有漏电保护芯片U1和微处理器芯片U2,漏电保护芯片U1的脚1、脚3分别连接于漏电磁环L1的脚1、脚2,漏电磁环L1设于火线L与零线N之间,漏电保护芯片U1的脚4串接电容C9后连接于串联电阻R30、稳压二极管Z1的两端,串联电阻R30连接于整流二极管ZL1的脚3,稳压二极管Z1连接于并联的电容C3、电容C7和电阻R5后与整流二极管ZL1的脚4连接,漏电保护芯片U1的脚5分别连接于电阻R9、电阻R29和电容C3,电阻R9连接于三极管Q1的基极,三极管Q1的集电极串接电阻R10后连接于5V电压,电阻R29连接于三极管Q6的集电极,三极管Q6的基极连接于串联的电阻R27与电阻R28,串联电阻R27与电阻R28的一端连接于5V电压,另一端串接二极管D5后与串联的晶闸管K2、晶闸管K3连接,晶闸管K2连接于线圈L3,线圈L3串接保险丝F1后连接于火线L,电容C3连接于开关S2的电路接口上,漏电保护芯片U1的脚6分别连接于25V-26V电压与电阻R3,电阻R3串接二极管D2后连接于串联的晶闸管K2与晶闸管K3,微处理器芯片U2的脚2串接电阻R12后连接于三极管Q2的基极,三极管Q2的射极连接于5V电压,三极管Q2的集电极串接电阻R14与电阻R15后连接于晶闸管K1,晶闸管K1串接电阻R16后连接于负载LD,微处理器芯片U2的脚6串接电阻R17后连接于三极管Q3的基极,三极管Q3的射极连接于并联的电阻R18与电容C11后接5V电压,三极管Q3的集电极串接电阻R19、电阻R20后与开关S2连接,开关S2串接电阻R7与电阻R8后连接于5V电压与电阻R6,电阻R6分别连接于发光二极管D3与发光二极管D4,微处理器芯片U2的脚7串接电阻R21后连接于三极管Q4的基极,三极管Q4的射极连接于5V电压,三极管Q4的集电极串接电阻R25、电阻R26后连接于三极管Q5的基极,三极管Q5的集电极连接于电阻R23,电阻R23并联于晶闸管K2的两端。

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