[发明专利]一种端面耦合器及其制备方法在审
申请号: | 202111552576.5 | 申请日: | 2021-12-17 |
公开(公告)号: | CN114217380A | 公开(公告)日: | 2022-03-22 |
发明(设计)人: | 刘敏;陈代高;肖希;王磊 | 申请(专利权)人: | 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司 |
主分类号: | G02B6/32 | 分类号: | G02B6/32;G02B6/124;G02B6/12;G02B6/13;G02B6/136 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 高洁;王黎延 |
地址: | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 端面 耦合器 及其 制备 方法 | ||
1.一种端面耦合器,其特征在于,所述端面耦合器包括:形成于波导覆盖层内的光波导和准直透镜组;所述波导覆盖层远离所述光波导的一侧形成有端面透镜;所述准直透镜组位于所述光波导和所述端面透镜之间;
所述准直透镜组包括多个中心轴线对齐的准直透镜;
其中,所述准直透镜组和所述端面透镜用于将所述光波导输出的光信号进行准直后输出,或者所述端面透镜和所述准直透镜组用于将所述光信号进行聚焦后输入至所述光波导。
2.如权利要求1所述的端面耦合器,其特征在于,所述准直透镜组内每个所述准直透镜包括相对设置的第一耦合面和第二耦合面,所述第一耦合面和所述第二耦合面的形状均包括平面、凸面或凹面。
3.如权利要求2所述的端面耦合器,其特征在于,所述第一耦合面和所述第二耦合面的形状相同。
4.如权利要求1所述的端面耦合器,其特征在于,所述端面透镜包括第三耦合面,所述第三耦合面的形状包括平面、凸面或凹面;其中,所述第三耦合面作为所述端面耦合器的光输入端或者光输出端。
5.如权利要求1所述的端面耦合器,其特征在于,
所述光波导的中心轴线与所述准直透镜组内每个所述准直透镜的中心轴线对齐;和/或
所述端面透镜的中心轴线与所述准直透镜组内每个所述准直透镜的中心轴线对齐。
6.如权利要求1所述的端面耦合器,其特征在于,所述波导覆盖层的材料包括二氧化硅。
7.如权利要求1所述的端面耦合器,其特征在于,所述光波导包括相互平行的第一端面和第二端面,所述第一端面和所述第二端面均垂直于所述光信号的传输方向,且所述第一端面的面积大于所述第二端面的面积;所述第一端面用于接收/输出所述光信号,对应的所述第二端面用于输出/接收所述光信号。
8.如权利要求1所述的端面耦合器,其特征在于,所述光波导的材料包括以下至少之一:硅、氮化硅和三五族材料。
9.一种端面耦合器的制备方法,其特征在于,所述方法包括:
提供位于波导覆盖层内的光波导;
刻蚀贯穿所述波导覆盖层以形成多个凹槽和端面透镜,且所述多个凹槽位于所述光波导和所述端面透镜之间;
对多个所述凹槽内进行填充,以在各个所述凹槽内形成准直透镜;所述多个准直透镜构成准直透镜组。
10.如权利要求9所述的制备方法,其特征在于,对多个所述凹槽内进行填充之前,所述方法还包括:
获取待形成准直透镜的折射率需求;
根据所述折射率需求,确定各个所述凹槽的填充材料。
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