[发明专利]一种Nand闪存中重读方法和固态硬盘

说明书

本申请实施例公开了一种Nand闪存中重读方法和固态硬盘。所述方法包括：在对Nand闪存中出错页进行重读时，记录已完成重读的每个出错页在预设的重读表中对应的偏移电压范围；获取同一偏移方向的至少两个出错页对应的偏移电压范围；根据同一偏移方向的出错页对应的偏移电压范围，确定每个偏移方向对应的偏移电压的目标范围；利用每个偏移方向的目标范围，对Nand闪存中未完成重读的出错页进行重读操作。

技术领域

本申请实施例涉及信息处理领域，尤指一种Nand闪存中重读方法和固态硬盘。

背景技术

Nand Flash存储方式基于浮栅(Floating Gate)技术，在栅极(控制栅)与漏极之间存在浮置栅，Nand Flash可以进行erase放电和program充电动作，Nand Flash可以在无电源的情况下仍然保持电荷，用于存储数据。

数据在Nand Flash中的存储是以电荷形式存储的，栅极及主板利用氧化膜进行绝缘处理，所以可以使电荷存储很长时间，但是如果氧化膜存在缺陷或者遭到破坏，那么数据就会收到破坏。另外，由于制作工艺或者硬件电气特性的影响，存储在Nand Flash存储器中的数据位会发生反转。当前使用Nand Flash的产品中，都会通过解码模块对Nand进行解码，当发生反转的数据量较大并超出硬件纠错模块的纠错能力时，可能就会产生数据丢失。

在Nand使用过程中很容易出现电子偏移的情况，表现出来的现象就是出现数据出错。例如，在Nand中的块block正在执行写入操作时发生高低温度切换，就会造成block正在program的电荷发生电子偏移；或者，在高温写完数据之后在低温下读取；或者，在低温写完数据在高温下读取，在上述三种情况下读取数据非常容易发生ECC Fail的情况。另外，在Nand硬盘静置保存时也会出现电子流失等情况。

Nand出现的电子偏移的情况会造成ECC Fail，如果读取到ECC Fail的数据，则需要进行电压偏移后重读Retry Read。固件可以利用重读表Retry Table使用偏移电压进行Retry Read。在使用Retry Table进行重读时，由于数据出错的block和page数目不确定，无法用同一组Retry Table恢复所有出错的数据，所以在Retry Read时往往需要遍历RetryTable，有的数据即使重读Retry Read也会发生ECC Fail，需要使用更强的soft decode等手段解码，这样会影响数据的读取效率，所以需要针对电子偏移的数据进行处理，以减少数据丢失发生的概率、以及提高纠错数据时的解码效率。因此，亟待一种改进的技术来解决现有技术中所存在的这一问题。

发明内容

为了解决上述任一技术问题，本申请实施例提供了一种Nand闪存中重读方法和固态硬盘。

为了达到本申请实施例目的，本申请实施例提供了一种Nand闪存中重读方法，包括：

在对Nand闪存中出错页进行重读时，记录已完成重读的每个出错页在预设的重读表中对应的偏移电压范围；

获取同一偏移方向的至少两个出错页对应的偏移电压范围；

根据同一偏移方向的出错页对应的偏移电压范围，确定每个偏移方向对应的偏移电压的目标范围；

利用每个偏移方向的目标范围，对Nand闪存中未完成重读的出错页进行重读操作。

一种存储介质，所述存储介质中存储有计算机程序，其中，所述计算机程序被设置为运行时执行上文所述的方法。

一种电子装置，包括存储器和处理器，所述存储器中存储有计算机程序，所述处理器被设置为运行所述计算机程序以执行上文所述的方法。

一种固态硬盘，设置有如上文所述的电子装置。

上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点或有益效果：