[发明专利]一种大尺寸芯片设计版图结构在审
| 申请号： | 202111555776.6 | 申请日： | 2021-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN114256209A | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 李梦 | 申请（专利权）人： | 上海微阱电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L27/02;G03F9/00 |
| 代理公司： | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人： | 黄海霞 |
| 地址： | 201210 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 芯片 设计 版图 结构 | ||
1.一种大尺寸芯片设计版图结构，其特征在于，所述结构包括：
多个拼接模块，所述每个拼接模块小于或等于光刻机的最大曝光视场；
遮光带，设置在任意相邻的两个所述拼接模块的拼接位置；
切割道，位于所述拼接模块中除了所述拼接位置之外的边缘位置。
键合对准标记，置于所述切割道中；
辅助标记，置于所述切割道中，且位于所述键合对准标记的邻近位置，所述辅助标记为具有方向性的标记。
2.根据权利要求1所述的芯片设计版图结构，其特征在于，所述辅助标记与所述键合对准标记形成一组具有方向性的对准标记。
3.根据权利要求2所述的芯片设计版图结构，其特征在于，所述辅助标记与所述键合对准标记需要在同一个光刻机曝光视场中。
4.根据权利要求1至3任一项所述的芯片设计版图结构，其特征在于，所述遮光带的宽度大于或等于60um。
5.根据权利要求1至3任一项所述的芯片设计版图结构，其特征在于，所述切割道的宽度大于或等于60um。
6.根据权利要求1至3任一项所述的芯片设计版图结构，其特征在于，所述键合对准标记为一个或多个。
7.根据权利要求1至3任一项所述的芯片设计版图结构，其特征在于，所述辅助标记为上下不对称和/或左右不对称的辅助标记。
8.根据权利要求1至3任一项所述的芯片设计版图结构，其特征在于，所述键合对准标记为光刻键合对准标记。
9.根据权利要求1至3任一项所述的芯片设计版图结构，其特征在于，所述拼接模块为小尺寸图形。
10.根据权利要求1至3任一项所述的芯片设计版图结构，其特征在于，所述大尺寸芯片包括图像传感器类型的芯片。
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