[发明专利]一种芯片清洗装置及清洗方法

说明书

本发明公开了一种芯片清洗装置及清洗方法，该清洗方法包括两个步骤：1）冲洗，打开第一进水管，对芯片表面进行冲洗，冲洗时间少于20s，冲洗压力控制在2‑3kg之间；2）浸泡，关闭第一进水管，停止对芯片表面的冲洗，而后打开清洗槽底部的第二进水管和进气管，在进水的同时向清洗槽内通入高纯二氧化碳气体进行浸泡，浸泡至清洗槽溢流，进水流速控制在16±0.5L/min，二氧化碳气体的流量控制在2±0.5ml/s间，步骤1）与步骤2）循环交替。整个清洗过程简单，能在确保芯片被清洗干净的同时，不会造成芯片表面的铝金属被腐蚀。

技术领域

本发明涉及芯片清洗技术领域，具体涉及一种芯片清洗装置及清洗方法。

背景技术

因工艺要求，有些芯片的表面镀覆有双层金属—钛和铝，钛金属约80埃左右，铝根据实际情况蒸镀不同厚度，因两种金属的化学活性的差异，在剥离后清洗时两种金属产生极性，产生电化学腐蚀，铝在水中会被腐蚀掉，因此不能长时间清洗，若清洗时间稍长，芯片顶层的铝就会被腐蚀，导致芯片的性能不良；而如果清洗时间稍短，则导致芯片清洗不干净，芯片整体的性能较差，为此如何解决上述技术问题，确保芯片清洗干净的同时，金属铝不被腐蚀是本领域技术人员致力于研究的方向。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术的不足，提供一种芯片清洗装置。

为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：一种芯片清洗装置，包括清洗槽以及设置在清洗槽内、用于搁置芯片的放置架，所述放置架能够绕自身轴心线方向旋转的安装在所述清洗槽内，所述清洗槽的侧壁上开设有第一进水管，所述第一进水管用于对芯片进行冲洗操作，所述第一进水管的出水端上连接有位于芯片上方的上喷淋管、位于芯片下方的下喷淋管以及位于芯片周向的水平喷淋管，所述清洗槽的底部还设置有第二进水管和高纯二氧化碳进气管，所述第二进水管用于在芯片浸泡过程中向清洗槽内进水。

作为一种具体的实施方式，所述第一进水管、第二进水管及进气管上均安装有开关阀和流量调节器。

作为一种具体的实施方式，所述上喷淋管和下喷淋管均有多个，多个上喷淋管和多个下喷淋管分别呈阵列排布在芯片的上方与下方。

本发明的另一个目的是提供一种芯片清洗方法，所述芯片表面依次镀覆有一层钛金属层和一层铝金属层，所述芯片在上述芯片清洗装置内完成清洗操作，所述芯片清洗过程包括两个步骤：

1）冲洗，打开第一进水管，对芯片表面进行冲洗，冲洗时间少于20s，冲洗压力控制在2-3kg之间；

2）浸泡，关闭第一进水管，停止对芯片表面的冲洗，而后打开清洗槽底部的第二进水管和进气管，在进水的同时向清洗槽内通入高纯二氧化碳气体进行浸泡，浸泡至清洗槽溢流，进水流速控制在16±0.5L/min，二氧化碳气体的流量控制在2±0.5ml/s间，步骤1）与步骤2）循环交替。

优选地，步骤1）中的冲洗时间控制在15-18s。

这里，二氧化碳的注入量是根据钛和铝在电阻率10-14M的去离子水中发生电化学反应产生的电子速度决定的。

由于上述技术方案的运用，本发明与现有技术相比具有下列优点：本发明的芯片清洗装置及清洗方法，该芯片清洗装置结构简单，在冲洗过程中，冲洗时间不超过20s，能够有效防止冲洗时因时间延长导致芯片表面的铝被腐蚀；另外，在现有技术中采用二氧化碳的目的通常是为了更好的去除芯片表面的杂质，而在本发明中，在浸泡过程中通入二氧化碳，其目的是为了与水形成弱酸性，以中和掉电化学腐蚀性，以确保芯片在浸泡过程中其表面的金属铝不被腐蚀。

附图说明

附图1为本发明芯片清洗装置的结构示意图；

其中：1、清洗槽；2、放置架；3、芯片；4、旋转轴；5、驱动电机；6、第一进水管；7、第二进水管；8、进气管；9、上喷淋管；10、下喷淋管；11、水平喷淋管；12、12′、12、开关阀；13、13′、13、流量调节器。