[发明专利]一种低压腐蚀箔及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种低压腐蚀箔的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1.将预处理的铝箔置于酸溶液中，在交流电下发孔腐蚀，得到一级发孔铝箔；

S2.将步骤S1.制得的一级发孔铝箔置于水中进行超声清洗，再置于己二酸铵溶液中，在直流电下中处理；

S3.将步骤S2.中处理后的铝箔置于酸溶液中，在交流电下发孔腐蚀，得到二级发孔铝箔；

S4.将步骤S3.制得的二级发孔铝箔置于水中进行超声清洗，再置于己二酸铵溶液中，在直流电下中处理；

S5.将步骤S4.中处理后的铝箔置于酸溶液中，在交流电下发孔腐蚀，得到三级发孔铝箔；

S6.将步骤S5.制得的三级发孔铝箔置于水中进行超声清洗，经后处理，得到所述低压腐蚀箔；

步骤S2.、步骤S4.和步骤S6.中所述超声清洗的条件均为：功率0.05～0.5w/cm²，频率30～50KHz，时间2～10s。

2.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，步骤S1.中，所述预处理为：将铝箔置于3～10wt.％H₃PO₄溶液中，在60～80℃条件下浸泡40～80s。

3.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，步骤S1.、S3.和S5.中，所述酸溶液均为：0.5～2wt.％硫酸、10～25wt.％氯离子的水溶液。

4.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，步骤S1.中，在交流电下发孔腐蚀的具体工艺为：40～55℃温度下，在电流密度为0.35～0.6A/cm²的交流电下进行发孔腐蚀25～60s。

5.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，步骤S3.中，在交流电下发孔腐蚀的具体工艺为：20～35℃温度下，在电流密度为0.15～0.35A/cm²的交流电下进行发孔腐蚀500～800s。

6.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，步骤S5.中，在交流电下发孔腐蚀的具体工艺为：15～35℃温度下，在电流密度为0.1～0.3A/cm²的交流电下进行发孔腐蚀500～800s。

7.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，步骤S2.和S4.中，所述己二酸铵溶液均为7～15wt.％己二酸铵水溶液。

8.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，步骤S2.和S4.中，在直流电下中处理的具体工艺均为：70～85℃温度下，在电流密度为0.05～0.2A/cm²的直流电下进行中处理30～50s。

9.一种低压腐蚀箔，其特征在于，由权利要求1～8任一项制备方法制得。

10.权利要求9所述低压腐蚀箔在制备铝电解电容器的阳极箔中的应用。