[发明专利]异质半导体纳米粒子及制备摩擦起电薄膜的方法

权利要求书

1.一种异质半导体纳米粒子的制备方法，其特征是：

步骤1﹑称取醋酸铜粉末，然后将醋酸铜粉末溶于无水乙醇中，得到混合溶液A；其中，1g醋酸铜粉末加入80mL～100mL的无水乙醇；

步骤2﹑先采用超声分散器对混合溶液A进行分散处理，再依次进行搅拌处理﹑脱泡处理；

步骤3﹑称取TiO₂粉末，将TiO₂粉末加入到步骤2处理过的混合溶液A中，得到混合溶液B；其中，TiO₂粉末的粒径为50nm～200nm，1g TiO₂粉末加入4mL～5mL步骤2处理过的混合溶液A；

步骤4﹑先采用超声分散器对混合溶液B进行分散处理，再依次进行搅拌处理﹑脱泡处理，得到悬浮液A，在水浴锅中将悬浮液A加热到60℃～80℃；

步骤5﹑在悬浮液A中加入葡萄糖溶液，接着再加入NaOH溶液，得到悬浮液B；其中，葡萄糖溶液的浓度为0.1mol/L～1mol/L，NaOH溶液的浓度为0.1mol/L～1mol/L，悬浮液A﹑NaOH溶液﹑葡萄糖溶液的体积比为1：1.5～3：1～2；

步骤6﹑用离心干燥器对悬浮液B进行干燥，得到沉淀物，再用无水乙醇洗涤该沉淀物，最后将清洗好的沉淀物放入60℃～120℃的真空干燥箱中干燥，即得到异质半导体纳米粒子。

2.根据权利要求1所述的异质半导体纳米粒子的制备方法，其特征是：所述异质半导体纳米粒子为TiO₂@Cu₂O异质半导体纳米粒子。

3.根据权利要求1所述的异质半导体纳米粒子的制备方法，其特征是：所述步骤2中，分散处理的时间为10分钟～30分钟，搅拌处理的时间为5分钟～15分钟，脱泡处理的时间为30秒～120秒；

步骤4中，分散处理的时间为10分钟～30分钟，搅拌处理的时间为5分钟～15分钟，脱泡处理的时间为30秒～120秒。

4.根据权利要求1所述的异质半导体纳米粒子的制备方法，其特征是：所述步骤6中，用无水乙醇洗涤沉淀物5次～8次，干燥时间为24小时～30小时。

5.一种如权利要求1～4中任一项所述的制备方法制得的异质半导体纳米粒子。

6.一种利用权利要求5所述的异质半导体纳米粒子制备摩擦起电薄膜的方法，其特征是：

步骤a﹑称取液态的聚二甲基硅氧烷，将异质半导体纳米粒子按照质量分数0.05％～5％的比例添加到液态的聚二甲基硅氧烷中，经超声分散、行星搅拌、脱泡处理后，得到A组分，再将A组分与固化剂混合，经二次搅拌、二次脱泡处理后，得到B组分；

步骤b﹑再次称取液态的聚二甲基硅氧烷，然后加入固化剂，经超声分散、行星搅拌、脱泡处理后，得到C组分；

步骤c﹑先采用旋涂仪将C组分旋涂于电极表面，然后放在空气环境下干燥处理，在电极表面的C组分未完全固化时，再采用旋涂仪将B组分旋涂在C组分表面，最后放在真空环境下干燥处理，使B组分和C组分均完全固化，即得到在电极表面附着的摩擦起电薄膜。

7.根据权利要求6所述的制备摩擦起电薄膜的方法，其特征是：所述步骤a中：超声分散的时间为5分钟～10分钟，行星搅拌的时间为3分钟～5分钟，脱泡的时间为30秒～120秒，固化剂为液体固化剂，A组分与固化剂的体积比为8～12：1，二次搅拌的时间为5分钟～10分钟，二次脱泡的时间为30秒～120秒。

8.根据权利要求6所述的制备摩擦起电薄膜的方法，其特征是：所述步骤b中：固化剂为液体固化剂，液态的聚二甲基硅氧烷与固化剂的体积比为8～12：1，行星搅拌的时间为5分钟～10分钟，脱泡的时间为30秒～120秒。

9.根据权利要求6所述的制备摩擦起电薄膜的方法，其特征是：所述步骤c中：采用匀胶法将C组分旋涂于电极表面上，匀胶法具体为：先将旋涂仪调整在80r/min～300r/min的转速下，旋涂100秒～300秒，再将旋涂仪调整在1000r/min～2000r/min的转速下，旋涂10秒～30秒；将B组分旋涂在C组分表面上时，旋涂仪的转速为800r/min～2000r/min；在空气环境下干燥处理的温度为60℃～80℃；在真空环境下干燥处理的温度为70℃～80℃。