[发明专利]一种复合钝化层及其制作方法、LED芯片

权利要求书

1.一种复合钝化层，作为客体的保护膜层，其特征在于，包括：依次堆叠的钝化底层及钝化顶层，且所述钝化底层的折射率小于所述钝化顶层的折射率；所述钝化底层用于接触客体的表面并使其耐受逆向电场，所述钝化顶层作为客体与外界接触的膜层，用于减少孔洞；

其中，在所述钝化底层及钝化顶层之间还设有中间层，且所述中间层的折射率介于所述钝化底层和钝化顶层之间，用于过渡所述钝化底层和钝化顶层之间的相互应力；

且，所述钝化底层的折射率为1.40～1.50，包括端点值；

所述中间层的折射率为1.42～1.52，包括端点值；

所述钝化顶层的折射率为1.45～1.55，包括端点值。

2.根据权利要求1所述的复合钝化层，其特征在于，所述复合钝化层包括透明的绝缘材料。

3.一种复合钝化层的制作方法，用于制作权利要求1至2任一项所述的复合钝化层，其特征在于，所述制作方法包括如下步骤：

步骤S01、将保护客体放置于反应腔中，且反应腔体保持在预热温度；

步骤S02、往腔体通入硅烷与笑气的混合气体，以形成钝化底层，且所述钝化底层的折射率为1.40～1.50，包括端点值；

步骤S03、增大所通入的硅烷与笑气的混合比例，以形成中间层，且所述中间层的折射率为1.42～1.52，包括端点值；

步骤S04、再次增大所通入的硅烷与笑气的混合比例，以形成钝化顶层，且钝化顶层的折射率为1.45～1.55，包括端点值。

4.根据权利要求3所述的复合钝化层的制作方法，其特征在于，

步骤S02中，所述硅烷与笑气的混合比例为2:320～6:320，包括端点值；

步骤S03中，所述硅烷与笑气的混合比例为2:320～2:50，包括端点值；

步骤S04中，所述硅烷与笑气的混合比例为1:50～2:50，包括端点值。

5.根据权利要求3所述的复合钝化层的制作方法，其特征在于，在所述步骤S02、S03及S04中，还可以通入氮气，用于结合过剩的氧离子。

6.一种LED芯片，其为水平结构的LED芯片，其特征在于，包括：

衬底；

设置于所述衬底表面的外延叠层，所述外延叠层包括沿第一方向依次堆叠的第一型半导体层、有源区以及第二型半导体层，且所述外延叠层的局部区域蚀刻至部分所述的第一型半导体层形成凹槽及台面；所述第一方向垂直于所述衬底，并由所述衬底指向所述外延叠层；

第一电极，其层叠于所述凹槽的部分表面，且远离所述凹槽的侧壁而设置；

第二电极，其层叠于所述台面的部分表面；

复合钝化层，其覆盖所述外延叠层的裸露面；所述复合钝化层包括权利要求1至2任一项所述的复合钝化层，且所述钝化底层接触所述LED芯片的外延叠层裸露面，所述钝化顶层作为LED芯片与外界接触的膜层。

7.根据权利要求6所述的LED芯片，其特征在于，在所述台面还设有透明导电层，且所述复合钝化层覆盖所述透明导电层。

8.一种LED芯片，其为垂直结构的LED芯片，其特征在于，包括：

导电基板；

设置于所述导电基板表面的键合层、金属反射镜及外延叠层，所述外延叠层包括沿第一方向依次堆叠的第二型半导体层、有源区以及第一型半导体层，所述第一方向垂直于所述导电基板，并由所述导电基板指向所述外延叠层；

第一电极，其层叠于所述第一型半导体层背离所述有源区的一侧表面；

第二电极，其层叠于所述导电基板的背面；

复合钝化层，其覆盖所述外延叠层的裸露面；所述复合钝化层包括权利要求1至2任一项所述的复合钝化层，且所述钝化底层接触所述LED芯片的外延叠层裸露面，所述钝化顶层作为LED芯片与外界接触的膜层。