[发明专利]半导体装置以及其制作方法在审
| 申请号： | 202111560189.6 | 申请日： | 2021-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN116314324A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 杨宗祐;李信宏;曹瑞哲;张哲华 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王锐 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制作方法 | ||
1.一种半导体装置，包括：
半导体基底；
栅极结构，设置在该半导体基底上；
第一漂移区，设置在该半导体基底中且位于该栅极结构的一侧；
一第一源极/漏极区，设置在该第一漂移区中；以及
栅极氧化物层，设置在该半导体基底上，其中该栅极氧化物层包括：
第一部分，其中该第一部分的至少一部分在垂直方向上设置在该栅极结构与该半导体基底之间；以及
第二部分，在水平方向上设置在该栅极氧化物层的该第一部分与该第一源极/漏极区之间，其中该栅极氧化物层的该第二部分包括底部向下延伸以及第一凹陷上表面在该垂直方向上位于该底部之上，且该第一漂移区的一部分在该垂直方向上位于该栅极氧化物层的该第一部分与该第二部分的下方。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该栅极氧化物层的该第二部分与该栅极氧化物层的该第一部分直接相连。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其中该栅极氧化物层的该第一部分的底部在该垂直方向上高于该栅极氧化物层的该第二部分的该底部。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其中设置在该栅极氧化物层的该第二部分下方的该第一漂移区在该水平方向上围绕该栅极氧化物层的该第二部分的该底部。
5.如权利要求1所述的半导体装置，其中该栅极氧化物层的该第二部分共形地设置在该第一漂移区上。
6.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：
间隙壁结构，设置在该栅极结构的侧壁上，其中该间隙壁结构在该垂直方向上设置在该栅极氧化物层的该第一部分与该第二部分上。
7.如权利要求6所述的半导体装置，其中该间隙壁结构的一部分在该垂直方向上设置在该栅极氧化物层的该第二部分的该第一凹陷上表面上。
8.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：
第二漂移区，设置在该半导体基底中，其中该第一漂移区与该第二漂移区分别位于设置在该栅极结构下方的该半导体基底在该水平方向上的两相对侧；以及
第二源极/漏极区，设置在该第二漂移区中，其中该第一源极/漏极区与该第二源极/漏极区分别位于该栅极结构在该水平方向上的两相对侧，且该栅极氧化物层还包括：
第三部分，在该水平方向上设置在该栅极氧化物层的该第一部分与该第二源极/漏极区之间，其中该栅极氧化物层的该第三部分包括底部向下延伸以及第二凹陷上表面在该垂直方向上位于该第三部分的该底部之上，且该第二漂移区的一部分在该垂直方向上位于该栅极氧化物层的该第一部分与该第三部分的下方。
9.如权利要求1所述的半导体装置，其中该栅极氧化物层的该第三部分与该栅极氧化物层的该第一部分直接相连。
10.如权利要求1所述的半导体装置，其中该栅极氧化物层的该第一部分的底部在该垂直方向上高于该栅极氧化物层的该第三部分的该底部。
11.一种半导体装置的制作方法，包括：
在半导体基底中形成第一漂移区；
在该半导体基底上形成栅极氧化物层；
在该栅极氧化物层上形成栅极结构，其中该第一漂移区位于该栅极结构的一侧；以及
在该第一漂移区中形成第一源极/漏极区，其中该栅极氧化物层包括：
第一部分，其中该第一部分的至少一部分在垂直方向上设置在该栅极结构与该半导体基底之间；以及
第二部分，在水平方向上设置在该栅极氧化物层的该第一部分与该第一源极/漏极区之间，其中该栅极氧化物层的该第二部分包括底部向下延伸以及第一凹陷上表面在该垂直方向上位于该底部之上，且该第一漂移区的一部分在该垂直方向上位于该栅极氧化物层的该第一部分与该第二部分的下方。
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