[发明专利]阵列基板及液晶显示面板

说明书

本发明涉及一种阵列基板及液晶显示面板，所述阵列基板通过将共享公共电极与栅极扫描线同层设置，并通过开设第一过孔以暴露部分共享公共电极和第三薄膜晶体管的部分漏极，将第三薄膜晶体管的漏极通过导电膜层与共享公共电极电连接，从而使得共享公共电极只存在于主像素电极与次像素电极之间的非显示区，共享公共电极无需穿过主像素电极和次像素电极，增大像素电极的开口率，增大穿透率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及液晶显示面板。

背景技术

8畴像素架构，在保持原有COF(覆晶薄膜)数量的前提下，实现VA(垂直配向)显示模式的视角优化。而现存量产的8畴像素架构中又分为3T像素架构(图1)和3T Plus像素架构(图2和图3)，8畴像素架构发展的前期，液晶显示面板所使用的像素架构均为3T像素架构，参照图1，主区薄膜晶体管T_main的栅极连接扫描线Gate，源极连接数据线Data，漏极分别连接主区存储电容C_{st_main}的一端和主区液晶电容C_{lc_main}一端，主区存储电容C_{st_main}的另一端连接阵列公共电极Acom，主区液晶电容C_{lc_main}的另一端连接CF公共电极CFcom；次区薄膜晶体管T_sub的栅极连接扫描线Gate，源极连接数据线Data，漏极分别连接次区存储电容C_{st_sub}的一端和次区液晶电容C_{lc_sub}的一端，次区存储电容C_{st_sub}的另一端连接阵列公共电极Acom，次区液晶电容C_{lc_sub}的另一端连接CF公共电极CFcom；共享薄膜晶体管T_cs的栅极连接数据线Gate，源极连接次区薄膜晶体管T_sub的漏极，漏极连接阵列公共电极Acom。

但是由于3T像素架构改善视角的主要手段为将次像素电极(sub pixel)的电压通过共享薄膜晶体管T_cs分享到阵列公共电极Acom上，因为阵列公共电极Acom和次像素电极存在一个次区存储电容C_{st_sub}，所以会因为阵列公共电极Acom电压的不稳定引发横向串扰的问题。

为了解决串扰的问题，3T Plus像素架构应运而生，在3T Plus像素架构中主要是在保持阵列公共电极Acom与次像素电极间次区存储电容C_{st_sub}不变的情况下设置第二个阵列公共电极Acom2(Share bar，共享公共电极)，将次像素电极的电压分享到Acom2上，但又因为现有3T Plus像素架构中Acom2会纵向穿过显示区(参照图3和图3a)，即，Acom2会穿过主像素电极(main pixel)和次像素电极，即穿过显示区，所以会导致像素电极的开口率降低，进而导致穿透率降低。

发明内容

本发明目的在于，解决现有3T Plus像素架构会导致像素电极开口率降低的问题。

为实现上述目的，本发明提供一种阵列基板，其特征在于，包括：底板；第一金属层，设置于所述底板上，所述第一金属层包括：栅极扫描线，阵列公共电极和共享公共电极，所述共享公共电极与所述栅极扫描线和所述阵列公共电极平行间隔排布；像素电极层，与所述第一金属层异层设置于所述底板上，所述像素电极层包括呈阵列排布的多个子像素电极，所述子像素电极包括主像素电极和次像素电极；第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的漏极与所述主像素电极电连接；第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管的漏极与所述次像素电极电连接；第三薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管的源极与所述第二薄膜晶体管的漏极电连接，所述第三薄膜晶体管的漏极与所述共享公共电极电连接。