[发明专利]R-T-B系永久磁铁在审
| 申请号： | 202111561783.7 | 申请日： | 2021-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN114664504A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 铃木健一;刘丽华 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01F1/057 | 分类号： | H01F1/057;H01F41/02 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;陈明霞 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 永久磁铁 | ||
1.一种R-T-B系永久磁铁，其中，
含有稀土元素R、过渡金属元素T及B，
所述R-T-B系永久磁铁至少含有Nd作为R，
所述R-T-B系永久磁铁至少含有Fe作为T，
所述R-T-B系永久磁铁具备多个主相颗粒和多个富R相，
所述多个主相颗粒至少含有R、T及B，
所述多个富R相至少含有R，
在所述R-T-B系永久磁铁的截面观察到的所述多个主相颗粒为扁平的，
所述截面与所述R-T-B系永久磁铁的易磁化轴方向基本平行，
所述多个富R相中的每一个位于所述多个主相颗粒之间，
所述易磁化轴方向上的所述多个富R相的间隔的平均值为5μm以上且所述易磁化轴方向上的所述R-T-B系永久磁铁的宽度以下。
2.根据权利要求1所述的R-T-B系永久磁铁，其中，
在所述截面观察到的所述多个主相颗粒的短轴的长度的平均值为20nm以上且200nm以下。
3.根据权利要求1或2所述的R-T-B系永久磁铁，其中，
R的含量为28质量％以上且33质量％以下，
B的含量为0.8质量％以上且1.1质量％以下。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的R-T-B系永久磁铁，其中，所述多个富R相中至少一部分含有R的氧化物。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的R-T-B系永久磁铁，其中，扁平的所述多个主相颗粒沿着所述易磁化轴方向堆叠。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的R-T-B系永久磁铁，其为热加工磁铁。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的R-T-B系永久磁铁，其中，
所述多个富R相中至少一部分中的R的浓度比所述截面中的R的浓度的平均值高，
R的浓度的单位为原子％。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的R-T-B系永久磁铁，其中，
所述多个富R相中至少一部分中的R的浓度比所述多个主相颗粒中的R的浓度高，
R的浓度的单位为原子％。
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