[发明专利]基于次流循环阵列的激波/边界层干扰控制装置及自适应控制方法有效
申请号: | 202111561993.6 | 申请日: | 2021-12-20 |
公开(公告)号: | CN114263533B | 公开(公告)日: | 2023-06-27 |
发明(设计)人: | 黄伟;钟翔宇;吴瀚;杜兆波;颜力;徐浩;李世斌 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军国防科技大学 |
主分类号: | F02C7/057 | 分类号: | F02C7/057 |
代理公司: | 长沙国科天河知识产权代理有限公司 43225 | 代理人: | 彭小兰 |
地址: | 410073 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 循环 阵列 激波 边界层 干扰 控制 装置 自适应 方法 | ||
本发明公开了一种基于次流循环阵列的激波/边界层干扰控制装置及自适应控制方法中,该装置包括位于流场内的壁板;壁板内设有次流通道,次流通道的一端通过排气槽与流场的上游相通,另一端通过若干呈阵列分布的进气槽与流场的下游相通;进气槽上设有开关结构,以控制各进气槽自适应开关。本发明应用于高超声速进气道内流场流动控制技术领域,其进气槽分布范围较大,当来流马赫数变化时或者流场压力产生振荡时,斜激波位置发生变化,但仍然在进气槽阵列范围内,能形成一个有效的次流循环通路以抑制边界层分离,从而实现宽速域高超声速飞行器进气道内流场激波/边界层干扰现象的控制,且本发明是无源被动控制装置,有着结构简单易实现的优点。
技术领域
本发明涉及高超声速进气道内流场流动控制技术领域,特别针对变马赫数来流条件下的激波/边界层干扰现象的一种宽速域流动控制装置及方法,具体是一种基于次流循环阵列的激波/边界层干扰控制装置及自适应控制方法。
背景技术
在超声速进气道中,激波/边界层干扰现象广泛存在,该现象破坏了流场的稳定性,出现边界层厚度增加、激波诱导边界层分离的现象,从而导致阻力增加,影响进气道效率和启动性能。为减少所引发的负面作用,需要在干扰过程出现之前或在干扰过程中对流动进行控制,也可以分别对激波和边界层进行控制。控制激波的目的是为了改变激波底部的结构,减小激波造成的总压损失。控制边界层则是改变边界层的流动特性,防止或减小激波诱导的边界层分离,降低黏性阻力,设法使激波造成的不稳定流动稳定下来。
目前,针对激波/边界层干扰主要有边界层吹除、边界层抽吸、微型涡流发生器控制、壁面鼓包控制、等离子体控制以及次流循环控制等控制方法,每种方法都有自己独特的优势,但也存在一些缺点。其中,边界层吹除、等离子体等主动控制方法需要额外添加复杂装置,注入额外能量,对材料的热防护有着更高的要求;微型涡流发生器与壁面鼓包会降低流场有效面积,影响进气道性能,且在暴露在高速流场中易损坏;边界层抽吸会造成流体损失,进气道设计面积增大,导致阻力增加。而次流循环控制是一种无源控制方法,无流量损失,也无需额外增加流量,工程实现较为简单,但抽吸孔与干扰分离区的相对位置对控制效果受影响较大,当流场产生振荡、来流马赫数变化导致分离区位置移动时控制效果有限。
发明内容
针对上述现有技术中的不足,本发明提供一种基于次流循环阵列的激波/边界层干扰控制装置及自适应控制方法,不仅具有无源、结构简单、无质量损失等优势,还可以实现对宽速域条件下工作的高超声速飞行器内流场激波/边界层干扰的自适应控制,抑制边界层分离的产生,提高流场性能。
为实现上述目的,本发明提供一种基于次流循环阵列的激波/边界层干扰控制装置,包括位于流场内的壁板;所述壁板内设有次流通道,所述次流通道的一端通过排气槽与流场的上游相通,另一端通过若干呈阵列分布的进气槽与流场的下游相通;每一所述进气槽上均设有开关结构,以控制各所述进气槽自适应开关。其中,所述开关结构包括挡片与阻尼弹簧;所述挡片的一端通过连接轴铰接在所述进气槽入口的一侧,所述挡片的另一端为活动端且与所述进气槽入口的另一侧间隙配合,以使得所述挡片在常态下关闭所述进气槽;所述阻尼弹簧为套设在所述连接轴上的扭簧,且所述阻尼弹簧的一端与所述挡片的底部相连,另一端与所述进气槽的槽壁相连,以使得所述挡片在流场压力下克服所述阻尼弹簧并打开所述进气槽。当来流产生的斜激波入射到进气孔阵列区域时,分离区和激波后壁面处静压升高,进气槽阵列与排气槽处较低的静压存在的压力差,形成次流循环。
作为上述技术方案的进一步改进,当所述进气槽关闭时,所述挡片的表面与所述壁板的壁面平齐。
作为上述技术方案的进一步改进,所述挡片与所述进气槽之间设有限位结构,以避免所述挡片翻入流场。
作为上述技术方案的进一步改进,各所述进气槽呈矩形阵列或沿流场方向的直线阵列分布。
作为上述技术方案的进一步改进,各所述进气槽等间距的呈阵列排列。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国人民解放军国防科技大学,未经中国人民解放军国防科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111561993.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。