[发明专利]一种防止芯片表面氧化的制备方法

权利要求书

1.一种防止芯片表面氧化的制备方法提出的装置，包括箱体（1），其特征在于：所述箱体（1）的前端面四周均贯穿设置有放置槽（9），所述放置槽（9）的内部上端设置有湿度传感器（10），所述放置槽（9）的内部两侧均设置有L型支撑块（7），所述L型支撑块（7）设置有多组且等间距排列，所述L型支撑块（7）之间设置有镂空架（15），所述镂空架（15）的两侧均设置有凹型槽（16），所述凹型槽（16）的内侧与L型支撑块（7）滑动连接；

所述镂空架（15）的内部设置有保护盒（19），所述保护盒（19）的内部设置有芯片主体（18），所述箱体（1）的两侧均设置有保护罩（2），所述保护罩（2）的内部设置有氮气输送装置（8），所述氮气输送装置（8）的上下端且相对放置槽（9）的内部设置有导管（12），所述导管（12）处设置有控制阀（11），所述箱体（1）的下端两侧均设置有移动结构（17）。

2.根据权利要求1所述的一种防止芯片表面氧化的制备方法提出的装置，其特征在于：所述镂空架（15）的下端面贯穿设置有通孔（13），所述通孔（13）设置有多个且等间距排列，所述镂空架（15）的内部下端且相对于通孔（13）之间设置有隔板（14）。

3.根据权利要求1所述的一种防止芯片表面氧化的制备方法提出的装置，其特征在于：所述箱体（1）的前端面且相对于放置槽（9）设置有箱门（3），所述箱门（3）的前端面设置有观察窗（4），且相对于观察窗（4）的一侧设置有把手（6）。

4.根据权利要求1所述的一种防止芯片表面氧化的制备方法提出的装置，其特征在于：所述箱体（1）的前端面中部设置有控制装置（5）。

5.根据权利要求1所述的一种防止芯片表面氧化的制备方法提出的装置，其特征在于：所述移动结构（17）包含有底座（171），所述底座（171）的下端贯穿设置缓冲槽（173），所述缓冲槽（173）的内部上端设置有伸缩杆（175），所述伸缩杆（175）的下端侧面设置有弹簧（176），所述伸缩杆（175）的下端设置有缓冲块（174），所述缓冲块（174）的下端前后面均设置有万向轮（172）。

6.根据权利要求5所述的一种防止芯片表面氧化的制备方法提出的装置，其特征在于：所述伸缩杆（175）设置有多个且等间距排列，所述伸缩杆（175）的侧面设置有限位块（177），所述限位块（177）的上端与缓冲槽（173）的内部上端相连接。

7.一种防止芯片表面氧化的制备方法，其特征在于：包含以下制备步骤：

S1、采用传统工艺，在芯片主体（18）的表面镀一层防氧化膜；

S2、将镀膜后的芯片主体（18）放置在保护盒（19）中，保护盒（19）放置在箱体（1）处安置槽（9）内镂空架（15）内来形成防护使用；

S3、在箱体（1）的内部通过氮气输送装置（8）输送氮气到放置槽（9）的内部来进行对芯片主体（18）防氧化保护使用，且通过湿度传感器（10）来对安置槽（9）的内部湿度进行监测使用。