[发明专利]一种石榴石结构近红外荧光材料及其制备方法和应用在审
申请号: | 202111562344.8 | 申请日: | 2021-12-20 |
公开(公告)号: | CN114015445A | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
发明(设计)人: | 钟继有;李超杰;赵韦人;石澎 | 申请(专利权)人: | 广东工业大学 |
主分类号: | C09K11/80 | 分类号: | C09K11/80;H01L33/50 |
代理公司: | 广东广信君达律师事务所 44329 | 代理人: | 彭玉婷 |
地址: | 510062 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 石榴石 结构 红外 荧光 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种石榴石结构近红外荧光材料,其特征在于,所述材料的化学式表示为:M3In2-a-bScaCrbGa3O12;其中M选自La、Gd、Y或Lu;0≤a≤1;0.001≤b≤0.3。
2.根据权利要求1所述的石榴石结构近红外荧光材料的制备方法,其特征在于,包括以下具体步骤:
S1.将M化合物、In化合物、Sc化合物、Ga化合物和Cr化合物研细,混合均匀,得混合物A;
S2.将混合物A在空气中置于1500~1650℃下烧结,并将产物进行破碎、研细处理,制得石榴石结构近红外荧光材料。
3.根据权利要求2所述的石榴石结构近红外荧光材料的制备方法,其特征在于,步骤S1中所述M化合物为氧化镧、硝酸镧、氧化钆、硝酸钆、氧化钇、硝酸钇、氧化镥、硝酸镥。
4.根据权利要求2所述的石榴石结构近红外荧光材料的制备方法,其特征在于,步骤S1中所述In化合物为氧化铟或氢氧化铟。
5.根据权利要求2所述的石榴石结构近红外荧光材料的制备方法,其特征在于,步骤S1中所述Sc化合物为氧化钪或硝酸钪。
6.根据权利要求2所述的石榴石结构近红外荧光材料的制备方法,其特征在于,步骤S1中所述Ga化合物为氧化镓。
7.根据权利要求2所述的石榴石结构近红外荧光材料的制备方法,其特征在于,步骤S1中所述Cr化合物为氧化铬或硝酸铬。
8.根据权利要求2所述的石榴石结构近红外荧光材料的制备方法,其特征在于,步骤S2中所述烧结的时间为4~48h。
9.根据权利要求1所述的近红外荧光材料在光转换器件中的应用。
10.根据权利要求9所述的应用,其特征在于,所述光转换器件为近红外LED器件。
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