[发明专利]高介电常数GPS定位用微波介质陶瓷及其制备方法

权利要求书

1.一种高介电常数GPS定位用微波介质陶瓷，其特征在于：该微波介质陶瓷是由主料和低温玻璃助剂烧结而成，主料的组成表达式为Ba_6-3x(SmLa)_8+2xTi₁₈O₅₄，其中，x=2/3；所述低温玻璃助剂为BaO-ZnO-SiO₂玻璃粉；其中，主料的含量为95wt%~99wt%，低温玻璃助剂的含量为1wt%~5wt%；所述低温玻璃助剂中，BaO的摩尔百分比含量为40~50mol%，ZnO的摩尔百分比含量为20~30mol%，SiO₂的摩尔百分比含量为20~30mol%。

2.一种权利要求1所述的高介电常数GPS定位用微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）制备微波介质陶瓷的主料：按照组成表达式Ba_6-3x(SmLa)_8+2xTi₁₈O₅₄中各元素的摩尔比对BaCO₃、TiO₂、Sm₂O₃、La₂O₃进行配料，混合充分后进行球磨，球磨后烘干、过筛，然后放入刚玉坩埚中进行焙烧，得到主料，其中，在Ba_6-3x(SmLa)_8+2xTi₁₈O₅₄中，x=2/3；

（2）制备低温玻璃助剂：将BaCO₃、ZnO、SiO₂进行配料，混合充分后球磨，球磨后烘干、过筛，再放入白金坩埚中，在300~500℃下加热融化，水冷后再粉碎，得到低温玻璃助剂；

（3）制备高介电常数GPS定位用微波介质陶瓷：按照质量百分比分别称取步骤（1）制备的主料、步骤（2）制备的低温玻璃助剂，将主料和低温玻璃助剂进行混合，然后充分球磨，再经过烘干、造粒和过筛，将过筛后的混合粉料压制成型，最后烧结得到该高介电常数GPS定位用微波介质陶瓷；其中，主料的质量百分比为95wt%~99wt%，低温玻璃助剂的质量百分比为1wt%~5wt%。

3.根据权利要求2所述的高介电常数GPS定位用微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤（1）中的焙烧过程是在1000～1100℃下焙烧保温3～5小时。

4.根据权利要求2所述的高介电常数GPS定位用微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤（2）中，BaCO₃、ZnO、SiO₂的配料按照下述化合物中对应元素的摩尔百分比进行配料：BaO的摩尔百分比为40~50mol%，ZnO的摩尔百分比为20~30mol%，SiO₂的摩尔百分比为20~30mol%。

5.根据权利要求2所述的高介电常数GPS定位用微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤（3）中的烧结温度为1200～1350℃。

6.根据权利要求2所述的高介电常数GPS定位用微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤（3）中所述的造粒是将烘干后的粉体与聚乙烯醇水溶液混合，然后制成微米级的球形颗粒。

7.根据权利要求2所述的高介电常数GPS定位用微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤（3）中，过筛后的混合粉料被压制成直径为10mm、高度为6mm的圆柱体。