[发明专利]片上光学微腔系统及其光场调控方法有效

专利信息
申请号: 202111563510.6 申请日: 2021-12-20
公开(公告)号: CN114498269B 公开(公告)日: 2023-09-26
发明(设计)人: 肖云峰;钱焰军;曹启韬;龚旗煌 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: H01S3/093 分类号: H01S3/093
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 郭金梅
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 光学 系统 及其 调控 方法
【权利要求书】:

1.一种片上光学微腔系统,其特征在于,包括:

非圆形光学微腔、剪裁体和芯片;

其中,所述非圆形光学微腔和所述剪裁体均集成在所述芯片上,且所述剪裁体位于所述非圆形光学微腔的内部,对应在相空间中对不同传输结构进行针对性调控,以对所述非圆形光学微腔的光学模式进行精准改变;

所述非圆形光学微腔的形状为二维的盘状,用二维极坐标描述为R(φ)=R0(1+Σn∈N+ancos(nφ));

式中,

φ为角向参数,且满足0≤φ≤2π;

n为正整数且1≤n≤6;

an为系数且满足-0.3≤an≤0.3;

R0为半径,且满足1μm≤R0≤1000μm。

2.根据权利要求1所述的片上光学微腔系统,其特征在于,所述剪裁体的形状至少包括三角形、矩形、多边形、椭圆、不规则形状。

3.根据权利要求1或2所述的片上光学微腔系统,其特征在于,所述剪裁采用量子点、高分子材料体、空气、金、银、硅、石墨烯、铌酸锂、二氧化硅、氮化硅、氮化铝、氮化镓和锗当中的一种。

4.根据权利要求1所述的片上光学微腔系统,其特征在于,所述非圆形光学微腔采用量子点、二氧化硅、硅、氮化硅、铌酸锂、氮化铝、氮化镓和锗当中的一种。

5.一种根据权利要求1所述的片上光学微腔系统的光场调控方法,其特征在于,包括如下步骤:

步骤S10:定位非圆形光学微腔的相空间结构;

步骤S20:在非圆形光学微腔内部插入剪裁体,并赋予剪裁体折射、反射、吸收、散射特性,在相空间中观察目标结构的调控是否达到预定目的;

步骤S30:剪裁体对相空间的目标结构的调控达到预定目的后,制备非圆形光学微腔及相应的剪裁体,用于目标实验和产品。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学,未经北京大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111563510.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top