[发明专利]片上光学微腔系统及其光场调控方法有效
申请号: | 202111563510.6 | 申请日: | 2021-12-20 |
公开(公告)号: | CN114498269B | 公开(公告)日: | 2023-09-26 |
发明(设计)人: | 肖云峰;钱焰军;曹启韬;龚旗煌 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H01S3/093 | 分类号: | H01S3/093 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 郭金梅 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 系统 及其 调控 方法 | ||
1.一种片上光学微腔系统,其特征在于,包括:
非圆形光学微腔、剪裁体和芯片;
其中,所述非圆形光学微腔和所述剪裁体均集成在所述芯片上,且所述剪裁体位于所述非圆形光学微腔的内部,对应在相空间中对不同传输结构进行针对性调控,以对所述非圆形光学微腔的光学模式进行精准改变;
所述非圆形光学微腔的形状为二维的盘状,用二维极坐标描述为R(φ)=R0(1+Σn∈N+ancos(nφ));
式中,
φ为角向参数,且满足0≤φ≤2π;
n为正整数且1≤n≤6;
an为系数且满足-0.3≤an≤0.3;
R0为半径,且满足1μm≤R0≤1000μm。
2.根据权利要求1所述的片上光学微腔系统,其特征在于,所述剪裁体的形状至少包括三角形、矩形、多边形、椭圆、不规则形状。
3.根据权利要求1或2所述的片上光学微腔系统,其特征在于,所述剪裁采用量子点、高分子材料体、空气、金、银、硅、石墨烯、铌酸锂、二氧化硅、氮化硅、氮化铝、氮化镓和锗当中的一种。
4.根据权利要求1所述的片上光学微腔系统,其特征在于,所述非圆形光学微腔采用量子点、二氧化硅、硅、氮化硅、铌酸锂、氮化铝、氮化镓和锗当中的一种。
5.一种根据权利要求1所述的片上光学微腔系统的光场调控方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤S10:定位非圆形光学微腔的相空间结构;
步骤S20:在非圆形光学微腔内部插入剪裁体,并赋予剪裁体折射、反射、吸收、散射特性,在相空间中观察目标结构的调控是否达到预定目的;
步骤S30:剪裁体对相空间的目标结构的调控达到预定目的后,制备非圆形光学微腔及相应的剪裁体,用于目标实验和产品。
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