[发明专利]一种碳化硅粉料的合成方法在审
| 申请号： | 202111563587.3 | 申请日： | 2021-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN114014318A | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 陈豆;李坚;潘尧波 | 申请（专利权）人： | 中电化合物半导体有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/984 | 分类号： | C01B32/984 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 苗晓娟 |
| 地址： | 315336 浙江省宁波市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 合成 方法 | ||
1.一种碳化硅粉料的合成方法，其特征在于，包括如下步骤：
将碳粉和硅粉混合后再向所述的碳粉和硅粉的混合料中加入聚碳硅烷纤维，以混合得到原料；以及
将所述的原料置于加热炉中进行经至少二次加热，得到所述的碳化硅粉料。
2.根据权利要求1所述的碳化硅粉料的合成方法，其特征在于，所述碳粉和所述硅粉的摩尔比为1:1～1:2。
3.根据权利要求2所述的碳化硅粉料的合成方法，其特征在于，所述碳粉的纯度至少为99.9999％，所述硅粉的纯度至少为99.9999％。
4.根据权利要求1所述的碳化硅粉料的合成方法，其特征在于，所述聚碳硅烷纤维是经过熔融纺丝得到，所述聚碳硅烷纤维的软化点≥250℃，且所述聚碳硅烷纤维分布于所述碳粉和所述硅粉内。
5.根据权利要求4所述的碳化硅粉料的合成方法，其特征在于，所述聚碳硅烷的添加量是所述碳粉和硅粉总质量的10～30％。
6.根据权利要求5所述的碳化硅粉料的合成方法，其特征在于，所述聚碳硅烷的数均分子量为1000～2200。
7.根据权利要求1所述的碳化硅粉料的合成方法，其特征在于，所述聚碳硅烷中的异质元素含量最多为0.05ppm。
8.根据权利要求1所述的碳化硅粉料的合成方法，其特征在于，加热前对所述加热炉的生长腔进行抽真空并进行洗气预热。
9.根据权利要求1所述的碳化硅粉料的合成方法，其特征在于，所述加热炉的第一次加热的过程中，所述加热炉升温至1100～1300℃，所述加热炉的反应时间为6～10小时。
10.根据权利要求1所述的碳化硅粉料的合成方法，其特征在于，所述加热炉的第二次加热的过程中，所述加热炉升温至1900～2200℃，所述加热炉的反应时间为15～30小时。
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