[发明专利]背照式全局曝光像元结构及其制备方法

权利要求书

1.一种背照式全局曝光像元结构，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底具有正表面和背表面；

接近半导体衬底的正表面，且设于半导体衬底内的感光单元、传输管和复位管；

接近半导体衬底的正表面，且位于所述传输管和所述复位管之间的存储节点，其中，所述存储节点设于半导体衬底内，挡光层不完全包覆所述存储节点。

2.根据权利要求1所述的背照式全局曝光像元结构，其特征在于，挡光层靠近背表面的的一侧包覆一层氧化层。

3.根据权利要求1或2所述的背照式全局曝光像元结构，其特征在于，所述挡光层包围所述存储节点接近半导体衬底的背表面的一侧。

4.根据权利要求2所述的背照式全局曝光像元结构，其特征在于，所述挡光层和所述氧化层与所述半导体衬底的正表面不连通。

5.根据权利要求4所述的背照式全局曝光像元结构，其特征在于，多晶硅结构覆盖所述不连通处，且与半导体衬底的正表面齐平或与晶体管栅极高度齐平。

6.根据权利要求4所述的背照式全局曝光像元结构，其特征在于，还包括：

设置于半导体衬底背表面的深沟槽，所述深沟槽临近所述感光单元；

设于深沟槽上方的金属栅格结构。

7.根据权利要求4所述的背照式全局曝光像元结构，其特征在于，所述挡光层材料包括金属、金属化合物或金属硅化物中的至少一种。

8.根据权利要求7所述的背照式全局曝光像元结构，其特征在于，所述金属包括钨、铜、铝或镍中的至少一种。

9.根据权利要求5所述的背照式全局曝光像元结构，其特征在于，所述多晶硅为N型注入。

10.一种背照式全局曝光像元结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底具有正表面和背表面；

对半导体衬底进行图形化，形成凹槽；

淀积挡光层；

刻蚀去掉半导体衬底表面的挡光层，以及刻蚀去掉凹槽侧壁上的部分挡光层；

在所述半导体衬底的正表面上形成传输管和复位管；

在所述半导体衬底内形成感光单元，以及在在所述半导体衬底的凹槽内形成位于所述传输管和所述复位管之间的存储节点。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，在凹槽中淀积挡光层之前，还包括：

淀积氧化层；

刻蚀去掉半导体衬底表面的氧化层，以及刻蚀去掉凹槽侧壁上的部分氧化层。

12.根据权利要求10或11所述的制备方法，其特征在于，在所述半导体衬底的正表面上形成传输管和复位管之前，还包括：

淀积一层多晶硅，所述多晶硅将凹槽全部填充；

刻蚀去掉半导体衬底的正表面上的多晶硅。

13.根据权利要求10或11所述的制备方法，其特征在于，所述在所述半导体衬底的凹槽内形成位于所述传输管和所述复位管之间的存储节点之后，还包括：

形成深沟槽，所述深沟槽临近所述感光单元；

在深沟槽上方形成金属栅格结构。

14.根据权利要求13所述的制备方法，其特征在于，还包括：

在所述半导体衬底的背表面上形成金属互连层及介质层。