[发明专利]半导体器件及其制作方法在审
申请号: | 202111564245.3 | 申请日: | 2021-12-20 |
公开(公告)号: | CN114220863A | 公开(公告)日: | 2022-03-22 |
发明(设计)人: | 张敬伟;贺锋;李天运 | 申请(专利权)人: | 北京世纪金光半导体有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王娇娇 |
地址: | 100176 北京市大兴*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
1.一种半导体器件,其特征在于,包括:
半导体衬底,所述半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面;
设置于所述第一表面上的第一外延层;
设置于所述第一外延层背离所述半导体衬底一侧表面的第二外延层,所述第二外延层具有刻蚀凹槽;
设置于所述第二外延层背离所述第一外延层一侧表面以及设置于所述刻蚀凹槽内的第三外延层;其中,所述第三外延层填满所述刻蚀凹槽,且所述第三外延层与所述第一外延层接触;
设置于所述第三外延层背离所述第二外延层一侧表面内的阱区;
其中,所述第一外延层的掺杂浓度等于所述第三外延层的掺杂浓度,所述第二外延层的掺杂浓度大于所述第一外延层或所述第三外延层的掺杂浓度。
2.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述第一外延层、所述第二外延层和所述第三外延层的掺杂类型相同,均为第一类型掺杂;
所述阱区为第二类型掺杂;
其中,所述第一类型掺杂和所述第二类型掺杂不同。
3.根据权利要求2所述的半导体器件,其特征在于,所述第一类型掺杂为N型掺杂,所述第二类型掺杂为P型掺杂;
或,所述第一类型掺杂为P型掺杂,所述第二类型掺杂为N型掺杂。
4.根据权利要求3所述的半导体器件,其特征在于,所述第一类型掺杂为N型掺杂;
所述第一外延层、所述第二外延层和所述第三外延层均为GaN层。
5.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述第二外延层的厚度大于所述第一外延层的厚度;所述第三外延层的厚度大于所述第二外延层的厚度。
6.根据权利要求5所述的半导体器件,其特征在于,所述第一外延层的厚度为100-500nm;
所述第二外延层的厚度为0.5-2um。
7.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,还包括:
设置于所述阱区背离所述第二外延层表面内的源区;
设置于所述阱区背离所述第二外延层表面内的欧姆接触层;
设置于所述第三外延层背离所述第二外延层一侧的栅极和源极;
设置于所述第二表面上的漏极。
8.一种半导体器件的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:
提供一半导体衬底,所述半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面;
在所述第一表面上设置第一外延层;
在所述第一外延层背离所述半导体衬底的一侧表面设置第二外延层,所述第二外延层具有刻蚀凹槽;
在所述第二外延层背离所述第一外延层的一侧表面以及在所述刻蚀凹槽内设置第三外延层;其中,所述第三外延层填满所述刻蚀凹槽,且所述第三外延层与所述第一外延层接触;
在所述第三外延层背离所述第二外延层的一侧表面内设置阱区;
其中,所述第一外延层的掺杂浓度等于所述第三外延层的掺杂浓度,所述第二外延层的掺杂浓度大于所述第一外延层或所述第三外延层的掺杂浓度。
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