[发明专利]显示面板及其制备方法、移动终端

说明书

本申请实施例提供一种显示面板及其制备方法、移动终端；该显示面板包括低温多晶硅晶体管以及金属氧化物晶体管，金属氧化物晶体管和低温多晶硅晶体管分离设置，金属氧化物晶体管包括第一有源层和位于第一有源层上的阻挡层，第一有源层包括第一沟道部和位于第一沟道部两侧的第一导体部，阻挡层与至少部分第一导体部搭接，其中，阻挡层的材料包括金属氧化物；上述显示面板通过在金属氧化物晶体管中的第一有源层上设置阻挡层，使阻挡层与至少部分第一导体部搭接，阻挡层为金属氧化物，进而使得阻挡层能够阻挡后续化学气相沉积制程中产生的氢离子对金属氧化物半导体的腐蚀，从而增强金属氧化物半导体薄膜晶体管的性能稳定性，进一步提升了显示面板的显示效果。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及其制备方法、移动终端。

背景技术

低温多晶氧化物(LowTemperaturePoly-Oxide，LTPO)技术一般是在阵列基板栅驱动电路(GatedriveronArray，GOA)区采用低温多晶硅(LowTemperaturePoly-Silicon，LTPS)薄膜晶体管，其具有迁移率高、尺寸小、充电快的优点而能有效减小边框尺寸。并且，在显示区(ActiveArea，AA)采用金属氧化物薄膜晶体管，诸如铟镓锌氧化物(indiumgalliumzincoxide，IGZO)薄膜晶体管，其暗电流小、可低频驱动。因此，LTPO技术可同时实现窄边框和低功耗。

对于低温多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物半导体薄膜晶体管而言，由于材料的性质不同，将其形成于同一基板上会出现工艺不兼容等问题。例如，在相关技术制备低温多晶硅薄膜晶体管的过程中，需要制作贯穿多层绝缘层的过孔，以使源漏电极与多晶硅半导体层连接。在制作过孔后，由于多晶硅层中对应位置暴露在空气中，会使其表面发生氧化，后续需要经化学气相沉积法制备绝缘膜层过程中产生的氢离子对多晶硅半导体层的表面氧化物进行处理。然而，上述过程中产生的氢离子会扩散至金属氧化物半导体层，进而对金属氧化物半导体造成腐蚀，从而影响金属氧化物半导体薄膜晶体管的性能。

因此，亟需一种显示面板及其制备方法、移动终端以解决上述技术问题。

发明内容

本申请实施例提供一种显示面板及其制备方法、移动终端，以改善当前运用低温多晶氧化物技术的显示面板中的金属氧化物半导体容易被腐蚀的技术问题。

本申请实施例提供一种显示面板，包括衬底和位于所述衬底上的驱动电路层，所述驱动电路层包括低温多晶硅晶体管以及金属氧化物晶体管，所述金属氧化物晶体管和所述低温多晶硅晶体管分离设置；

所述金属氧化物晶体管包括第一有源层和位于所述第一有源层上的阻挡层，所述第一有源层包括第一沟道部和位于所述第一沟道部两侧的第一导体部，所述阻挡层与至少部分所述第一导体部搭接；

其中，所述阻挡层的材料包括金属氧化物。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述金属氧化物晶体管还包括：

第一栅极绝缘层，设置于所述衬底上；

遮光层，设置于所述第一栅极绝缘层上；

第二栅极绝缘层，设置于所述第一栅极绝缘层上且完全覆盖所述遮光层；

所述第一有源层，设置于所述第二栅极绝缘层上；

第三栅极绝缘层，设置于所述第一沟道部上；

所述阻挡层，设置于所述第二栅极绝缘层上且与所述第三栅极绝缘层相接触；

第一栅极，设置于所述第三栅极绝缘层上；

层间绝缘层，设置于所述阻挡层以及所述第三栅极绝缘层上，且所述层间绝缘层完全覆盖所述第一栅极；

第一源漏极，设置于所述层间绝缘层上；以及