[发明专利]掩膜版的调整方法及制作方法

说明书

本发明涉及掩膜版技术领域，公开了一种掩膜版的调整方法及制作方法。通过确定掩膜版的框架的实际形变量与理论形变量的差异值，对理论反作用力的大小进行调整，得到目标反作用力并应用于制作掩膜版。其中，理论反作用力的调整幅度匹配该差异值，使得目标反作用力能够尽可能抵消掩膜单元施加于框架的拉力，进而缓解掩膜版上的掩膜开口的偏位情况，有利于提高所制作像素的像素位置精度。

技术领域

本发明涉及掩膜版技术领域，特别是涉及一种掩膜版的调整方法及制作方法。

背景技术

OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示技术因其自发光效应，且具有厚度薄、可弯曲，在大视角下画面不失真、发光效率高等优势被广泛应用。

在制作应用OLED显示技术的产品的过程中，需要通过精细金属掩膜版(FineMetal Mask，FMM)实现发光材料的蒸镀。然而，目前精细金属掩膜版在张网后其上的掩膜开口存在不同程度的偏位，导致所制作像素的像素位置精度(Pixel Position Accuracy，PPA)较低。

发明内容

有鉴于此，本发明主要解决的技术问题是提供一种掩膜版的调整方法及制作方法，能够缓解掩膜版上的掩膜开口的偏位情况。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种掩膜版的调整方法。该调整方法包括：确定掩膜版的框架的实际形变量与理论形变量的差异值；其中，实际形变量为框架在经理论反作用力作用且安装掩膜版的掩膜单元后产生的形变量；对理论反作用力的大小进行调整，得到目标反作用力；其中，理论反作用力的调整幅度匹配差异值。

在本发明的一实施例中，确定框架的实际形变量与理论形变量的差异值的步骤包括：确定实际形变量与理论形变量的比值；对理论反作用力的大小进行调整，得到目标反作用力的步骤包括：将理论反作用力乘以比值，得到目标反作用力。

在本发明的一实施例中，确定实际形变量与理论形变量的比值的步骤包括：确定实际形变量与理论形变量的差值；计算得到实际形变量；其中，当实际形变量大于理论形变量时，实际形变量为理论形变量与差值之和，而当实际形变量小于理论形变量时，实际形变量为理论形变量与差值之差；计算得到实际形变量与理论形变量的比值。

在本发明的一实施例中，对理论反作用力的大小进行调整，得到目标反作用力的步骤包括：当实际形变量大于理论形变量时，且当实际形变量小于理论形变量时，其中，F为目标反作用力，f为理论反作用力，a为理论形变量，b为差值。

在本发明的一实施例中，掩膜版划分有至少两个掩膜区域，若干个掩膜单元分布于该至少两个掩膜区域；确定框架的实际形变量与理论形变量的差异值的步骤包括：确定掩膜区域中各个掩膜单元所对应框架的实际形变量与理论形变量的差异值；通过统计学分析从确定的差异值中得到目标差异值；对理论反作用力的大小进行调整，得到目标反作用力的步骤包括：对掩膜区域中各个掩膜单元所对应框架的理论反作用力分别进行调整，分别得到掩膜区域中各个掩膜单元所对应框架的目标反作用力；其中，掩膜区域中各个掩膜单元所对应理论反作用力的调整幅度均匹配目标差异值。

在本发明的一实施例中，通过统计学分析从确定的差异值中得到目标差异值的步骤包括：对所确定的差异值取平均值，得到目标差异值；或对所确定的差异值取中位数，得到目标差异值。

在本发明的一实施例中，将至少两个掩膜区域划分为第一掩膜区域和至少一组掩膜区域组合，令每一掩膜区域组合包括在第一掩膜区域的两侧对称分布且对应的目标差异值相同的两个第二掩膜区域。

在本发明的一实施例中，在同一掩膜区域中，各掩膜单元所对应框架的实际形变量之间的差值处于第一预设范围内。

在本发明的一实施例中，第一预设范围为0μm至1μm。