[发明专利]一种低功耗自控电路、方法、终端及存储介质在审
申请号: | 202111566611.9 | 申请日: | 2021-12-20 |
公开(公告)号: | CN114071679A | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
发明(设计)人: | 蒋权 | 申请(专利权)人: | 努比亚技术有限公司 |
主分类号: | H04W52/02 | 分类号: | H04W52/02 |
代理公司: | 深圳协成知识产权代理事务所(普通合伙) 44458 | 代理人: | 伍永森 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道福*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 功耗 自控 电路 方法 终端 存储 介质 | ||
1.一种低功耗自控电路,其特征在于,所述低功耗自控电路包括:电源模块、电源控制模块和主控模块;
所述电源模块与所述电源控制模块连接,用于根据所述电源控制模块的控制开启或者关闭;
所述电源控制模块包括开关单元和激活控制单元;所述开关单元分别与所述电源模块、所述主控模块和所述激活控制单元连接,用于根据激活控制单元的控制开启所述电源模块,并根据所述主控模块的控制保持所述电源模块的开启状态或者关闭所述电源模块;所述激活控制单元用于在接收到激活信号时,控制所述开关单元开启所述电源模块;
所述主控模块用于在上电后控制所述开关单元保持所述电源模块的开启状态,并在接收到关闭所述电源模块的指令时控制所述开关单元关闭所述电源模块。
2.根据权利要求1所述的低功耗自控电路,其特征在于,所述激活控制单元包括激活部件,用于接收所述激活信号。
3.根据权利要求2所述的低功耗自控电路,其特征在于,所述激活部件为磁簧开关,所述激活控制单元还包括第一电阻,所述第一电阻的一端与所述电源模块连接,所述第一电阻的另一端分别与所述磁簧开关的一端和所述开关单元连接,所述磁簧开关的另一端接地。
4.根据权利要求3所述的低功耗自控电路,其特征在于,所述开关单元包括开关部件、第一开关控制部件和第二开关控制部件;所述开关部件分别与所述电源模块、所述主控模块、所述第一开关控制部件和所述第二开关控制部件连接,所述第一开关控制部件还与所述激活控制单元连接,所述第二开关控制部件还与所述主控模块连接;所述开关部件用于根据所述主控模块、所述第一开关控制部件和所述第二开关控制部件的控制开启或者关闭所述电源模块。
5.根据权利要求4所述的低功耗自控电路,其特征在于,所述开关部件为P沟道MOS管,所述第一开关控制部件为第一二极管,所述第二开关控制部件为第二二极管,所述开关单元还包括第二电阻,所述第二电阻的一端分别与所述电源模块和所述P沟道MOS管的源极连接,所述第二电阻的另一端分别与所述P沟道MOS管的栅极、所述第一二极管的正极和所述第二二极管的正极连接,所述P沟道MOS管的漏极与所述电源模块的电源端连接,所述第一二极管的负极分别与所述第一电阻的另一端和所述磁簧开关的一端连接,所述第二二极管的负极与所述主控模块的电源控制端连接。
6.根据权利要求5所述的低功耗自控电路,其特征在于,所述主控模块包括电源端和电源控制端;所述电源端为所述主控模块的电源输入端,所述电源控制端用于在所述主控模块上电后输出低电平,以控制所述开关单元保持所述电源模块的开启状态,并在接收到关闭所述电源模块的指令时输出高电平,以控制所述开关单元关闭所述电源模块。
7.根据权利要求6所述的低功耗自控电路,其特征在于,当无磁铁靠近所述磁簧开关时,所述磁簧开关处于断开状态,所述第一二极管的负极被所述第一电阻上拉至高电平,使得所述第一二极管处于截止状态,所述P沟道MOS管的栅极被所述第二电阻上拉至高电平,使得所述P沟道MOS管工作在截止状态,所述电源模块处于关闭状态;
当有磁铁靠近所述磁簧开关时,所述磁簧开关处于导通状态,所述第一二极管的负极通过所述磁簧开关接地而处于导通状态,所述P沟道MOS管的栅极被所述第一二极管拉至低电平,使得所述P沟道MOS管工作在导通状态,所述电源模块开启,为所述主控模块供电;
所述主控模块上电后控制所述电源控制端输出低电平,所述第二二极管的负极被拉低而处于导通状态,所述P沟道MOS管的栅极被所述第二二极管拉至低电平,使得所述P沟道MOS管工作在导通状态,控制所述开关单元保持所述电源模块的开启状态;
所述主控模块在接收到关闭所述电源模块的指令时,控制所述电源控制端输出高电平,所述第二二极管的负极被拉至高电平,使得所述第二二极管转为截止状态,所述P沟道MOS管的栅极又被所述第二电阻上拉至高电平,使得所述P沟道MOS管转为截止状态,所述电源模块被关闭。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于努比亚技术有限公司,未经努比亚技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111566611.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。