[发明专利]一种多温度点老化制备低硅X型分子筛的方法在审
| 申请号： | 202111569343.6 | 申请日： | 2021-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN114014333A | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 王亮;阎平轩;李宏伟;贺大威;陈茂重;姚心如;潘宏峰;李世洪;冯延铠;姜月;常琳;刘星宇 | 申请（专利权）人： | 中科催化新技术（大连）股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B39/22 | 分类号： | C01B39/22 |
| 代理公司： | 大连优路智权专利代理事务所(普通合伙) 21249 | 代理人： | 宋春昕 |
| 地址： | 116318 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 温度 老化 制备 分子筛 方法 | ||
1.一种多温度点老化制备低硅X型分子筛的方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1.分别称取硅源、铝源、强碱和去离子水；
S2.将强碱用去离子水溶解并搅拌，得到澄清溶液；
S3.将铝源加入澄清溶液中，搅拌至铝源完全溶解且混合溶液呈现为澄清状态，然后将硅源加入到混合溶液中，在室温下搅拌30min；
S4.搅拌完成后，将混合溶液移入以聚四氟乙烯做内衬的不锈钢高压反应釜中，封釜，在多个温度点进行老化，老化后升温至晶化温度，进行晶化；
S5.晶化完成后，将晶化后的产物离心分离，并用去离子水洗涤至pH＜9，然后经烘干和焙烧4h后得到低硅X型分子筛。
2.根据权利要求1所述的一种多温度点老化制备低硅X型分子筛的方法，其特征在于，所述步骤S1中，按分子比SiO2/Al2O3＝2.0-4.0，Na2O/(Na2O+K2O)＝0.10-0.90，(Na2O+K2O)/SiO2＝1.00-7.50，H2O/(Na2O+K2O)＝10.0-50.0，分别称取硅源、铝源、强碱和去离子水。
3.根据权利要求1所述的一种多温度点老化制备低硅X型分子筛的方法，其特征在于，所述步骤S1中，硅源包括硅酸钠、硅酸钾、硅溶胶和无定形二氧化硅，铝源包括铝酸钠、铝酸钾、硫酸铝、硝酸铝和氧化铝，强碱包括氢氧化钠和氢氧化钾。
4.根据权利要求1所述的一种多温度点老化制备低硅X型分子筛的方法，其特征在于，所述步骤S4中，老化温度为30～70℃，老化温度点为1-4个，每个温度点老化时间为1～4h，晶化温度为80～120℃，晶化时间为2～6h。
5.根据权利要求1所述的一种多温度点老化制备低硅X型分子筛的方法，其特征在于，所述步骤S5中，烘干温度为100～120℃，焙烧温度为550℃。
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