[发明专利]发光芯片的转移方法、显示面板和显示装置

权利要求书

1.一种发光芯片的转移方法，其特征在于，所述转移方法包括：

提供外延片，通过所述外延片制备多个发光芯片；

制作包括多个所述发光芯片和第一金属层的片源，所述第一金属层罩设于所述发光芯片的第一电极和第二电极上，并与所述第一电极和所述第二电极间隔设置；

提供临时基板，将所述片源背对所述发光芯片的衬底层的一侧与所述临时基板粘接；

去除所述发光芯片的所述衬底层；

抓取多个所述发光芯片，并将多个所述发光芯片与所述第一金属层脱离连接；

将多个所述发光芯片转移至背板，多个所述发光芯片的所述第一电极和所述第二电极与所述背板电连接。

2.如权利要求1所述的发光芯片的转移方法，其特征在于，所述提供外延片，通过所述外延片制备多个发光芯片，包括：

提供包括多个外延结构的所述外延片，在所述外延片上形成多个第一开槽，每个所述第一开槽对应一个所述外延结构设置，且将所述外延结构形成第一区域和第二区域；

在所述外延片上形成多个第二开槽，每个所述第二开槽设置于相邻的两个所述外延结构之间；

在所述外延片中位于所述第一区域的第二半导体层上形成第二金属层；

形成覆盖所述外延片和所述第二金属层的绝缘保护层；

部分去除所述第二金属层和第一半导体层处的所述绝缘保护层以部分露出所述第二金属层和所述第一半导体层；

在部分露出所述第二金属层和所述第一半导体层的位置分别形成所述第一电极和所述第二电极，所述第一电极与所述第二金属层电连接，所述第二电极与所述第一半导体层电连接，以得到多个所述发光芯片。

3.如权利要求2所述的发光芯片的转移方法，其特征在于，所述制作包括多个所述发光芯片和第一金属层的片源，所述第一金属层罩设于所述发光芯片的第一电极和第二电极上，并与所述第一电极和所述第二电极间隔设置，包括：

在多个所述发光芯片的所述第一电极和所述第二电极的相对两侧制作第一胶层，在多个所述发光芯片的所述第一电极和所述第二电极的外表面上制作第二胶层；

在所述第一胶层和所述第二胶层上形成所述第一金属层；

去除所述第一胶层和所述第二胶层以及所述第一胶层上的所述第一金属层以形成包括多个所述发光芯片和所述第一金属层的所述片源。

4.如权利要求3所述的发光芯片的转移方法，其特征在于，所述在所述第一胶层和所述第二胶层上形成第一金属层，包括：

在所述第一胶层背对所述绝缘保护层的表面形成所述第一金属层；

在所述第二胶层的外表面形成所述第一金属层，且所述第二胶层被所述第一金属层包覆。

5.如权利要求1所述的发光芯片的转移方法，其特征在于，所述提供临时基板，将所述片源背对所述发光芯片的衬底层的一侧与所述临时基板粘接，包括：

提供一临时基板；

将所述片源上对应所述第一电极和所述第二电极位置的所述第一金属层与所述临时基板粘接。

6.如权利要求2所述的发光芯片的转移方法，其特征在于，所述外延结构包括依次层叠设置的所述衬底层、所述第一半导体层、多量子阱发光层以及所述第二半导体层，所述第一开槽贯通所述第二半导体层和所述多量子阱发光层，并与所述第一半导体层相通，每个所述第二开槽依次贯通所述第二半导体层、所述多量子阱发光层和所述第一半导体层，与所述衬底层相通。

7.如权利要求3所述的发光芯片的转移方法，其特征在于，所述第一胶层和所述第二胶层由光刻胶制成，所述第一金属层的材质与所述第一电极的材质相同。

8.如权利要求3所述的发光芯片的转移方法，其特征在于，所述第一胶层与相邻的所述第二胶层之间的间隙距离为2-15um，所述第一胶层的厚度为7-20um，所述第二胶层的厚度为2-5um，所述第一金属层的厚度为1-3um。

9.一种显示面板，其特征在于，包括背板以及通过如权利要求1-8任意一项所述的发光芯片的转移方法转移至所述背板上的多个发光芯片。

10.一种显示装置，其特征在于，包括支撑框架和如权利要求9所述的显示面板，所述支撑框架用于支撑所述显示面板。