[发明专利]离子阱质谱仪的离子隔离方法、系统及介质在审
申请号: | 202111573135.3 | 申请日: | 2021-12-21 |
公开(公告)号: | CN114388334A | 公开(公告)日: | 2022-04-22 |
发明(设计)人: | 薛兵;孙露露;路同山;胡波;唐朝阳;王玉涵;罗勇;李飞;陈延龙 | 申请(专利权)人: | 上海裕达实业有限公司 |
主分类号: | H01J49/02 | 分类号: | H01J49/02;H01J49/26 |
代理公司: | 上海段和段律师事务所 31334 | 代理人: | 王丹东;郭国中 |
地址: | 200245 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 离子 质谱仪 隔离 方法 系统 介质 | ||
1.一种离子阱质谱仪的离子隔离方法,其特征在于,包括:
离子引入步骤:打开离子阱的离子门,将质谱仪的后端盖置于预设电位,捕捉离子;
离子囚禁步骤:关闭离子门,捕捉的离子稳定在离子阱中心区域;
离子隔离步骤:根据正电压所占DDS数量和/或隔离时间,获取母离子质荷比m/z、隔离质量数范围以及母离子隔离效率值这三者中的任一种或任多种;
隔离冷却步骤:将离子置于预设值处,并根据预设隔离冷却时间对离子进行冷却;
离子清空步骤:在离子阱电极上施加预设占空比,完成离子清空。
2.根据权利要求1所述的离子阱质谱仪的离子隔离方法,其特征在于,所述离子引入步骤包括:离子阱的离子门处于打开状态,后端盖置于预设电位,在数字离子阱电极上施加正电压V1,负电压V2,占空比d=0.5的射频方波,由四极场捕获离子;
所述离子囚禁步骤包括:离子门处于关闭状态,离子与缓冲气进行碰撞,离子稳定在离子阱中心区域的空间内,冷却阶段的时间为10ms;
所述隔离冷却步骤包括:将离子置于预设q值处,隔离冷却时间选择5ms;
所述离子清空步骤包括:在数字离子阱电极的极片上施加占空比d=0.1的数字矩形波,完成离子的清空,离子清空时间为5ms。
3.根据权利要求1所述的离子阱质谱仪的离子隔离方法,其特征在于,所述离子隔离步骤中包括:
离子被囚禁在离子阱中,正电压V1所占26DDS时,对应的隔离窗口为30Th;即对于母离子质荷比m/z=106Th,隔离质量数范围为106±10Th。
4.根据权利要求3所述的离子阱质谱仪的离子隔离方法,其特征在于,所述离子隔离步骤中还包括:
隔离时间分别为:1ms、0.2ms以及0.05ms,母离子的隔离为100%;当正电压V1所占为25DDS时,对应的隔离窗口为4Th;即对于母离子m/z=106Th,隔离质量数范围为106±1Th;
隔离时间分别为:1ms、0.2ms和0.05ms;当隔离时间为0.05ms时,母离子的隔离效率为100%,离子中心质量处的隔离效率下降至67%。
5.一种离子阱质谱仪的离子隔离系统,其特征在于,包括:
离子引入模块:打开离子阱的离子门,将质谱仪的后端盖置于预设电位,捕捉离子;
离子囚禁模块:关闭离子门,捕捉的离子稳定在离子阱中心区域;
离子隔离模块:根据正电压所占DDS数量和/或隔离时间,获取母离子质荷比m/z、隔离质量数范围以及母离子隔离效率值这三者中的任一种或任多种;
隔离冷却模块:将离子置于预设值处,并根据预设隔离冷却时间对离子进行冷却;
离子清空模块:在离子阱电极上施加预设占空比,完成离子清空。
6.根据权利要求5所述的离子阱质谱仪的离子隔离系统,其特征在于,所述离子引入模块包括:离子阱的离子门处于打开状态,后端盖置于预设电位,在数字离子阱电极上施加正电压V1,负电压V2,占空比d=0.5的射频方波,由四极场捕获离子;
所述离子囚禁模块包括:离子门处于关闭状态,离子与缓冲气进行碰撞,离子稳定在离子阱中心区域的空间内,冷却阶段的时间为10ms;
所述隔离冷却模块包括:将离子置于预设q值处,隔离冷却时间选择5ms;
所述离子清空模块包括:在数字离子阱电极的极片上施加占空比d=0.1的数字矩形波,完成离子的清空,离子清空时间为5ms。
7.根据权利要求5所述的离子阱质谱仪的离子隔离系统,其特征在于,所述离子隔离模块中包括:
离子被囚禁在离子阱中,正电压V1所占26DDS时,对应的隔离窗口为30Th;即对于母离子质荷比m/z=106Th,隔离质量数范围为106±10Th。
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