[发明专利]一种阵列式气体传感器及智能气体检测方法在审
申请号: | 202111573969.4 | 申请日: | 2021-12-21 |
公开(公告)号: | CN114527173A | 公开(公告)日: | 2022-05-24 |
发明(设计)人: | 彭小燕;陈家正;王顺;褚金 | 申请(专利权)人: | 西南大学 |
主分类号: | G01N27/30 | 分类号: | G01N27/30;G01N27/416;C23C14/04;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/35;C23C14/58;G06N20/00 |
代理公司: | 重庆缙云专利代理事务所(特殊普通合伙) 50237 | 代理人: | 王翔 |
地址: | 400715*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 气体 传感器 智能 检测 方法 | ||
本发明的目的是提供一种阵列式气体传感器及智能气体检测方法。其制备方法是在传感器衬底上制备出n列×m行,共nm个磁控溅射孔位和电极;采用掩模版B1~掩模版Bn依次覆盖于处理过的传感器衬底上,并依次采用n种溅射材料,通过磁控溅射将n种不同溅射材料分别生长到n列磁控溅射孔位上;再采用掩模版C1~掩模版Cm‑1依次覆盖于处理过的传感器衬底上,并依次采用m‑1种溅射材料,通过磁控溅射分别生长到磁控溅射孔位上,值得具有nm个阵列单元的阵列式气体传感器。
技术领域
本发明涉及气体传感器。
背景技术
构建基于新原理和新材料的智能感知系统是传感领域的研发趋势。传统的基于气敏材料的传感器具有室温恢复能力和选择 性等还达不到应用要求的问题。而在阵列传感器中,普遍采用温度调制技术或敏感元负载调控的方法,结合算法的概率统计模型来达到信息多样化的要求。但是温度组件和大量负载的引入不可避免地带来体积大、兼容性差、功耗高等问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种阵列式气体传感器,其特征在于,其制备方法包括以下步骤:
1〕在传感器衬底上制备出n列×m行,共nm个磁控溅射孔位和电极;制备时,需要采用掩模版A覆盖于衬底上,进行磁控溅射孔位的制备;其中掩模版A具有n列×m行,共nm个矩形阵列状排列的通孔;每个磁控溅射孔位均连接两个电极; n和m为大于2的自然数;
2〕采用掩模版B1~掩模版Bn依次覆盖于步骤1〕处理过的传感器衬底上,并依次采用n种溅射材料,通过磁控溅射将n种不同溅射材料分别生长到n列磁控溅射孔位上;其中,掩模版B1具有与第1列磁控溅射孔位对应的通孔、掩模版B2具有与第2列磁控溅射孔位对应的通孔、……掩模版Bn具有与第n列磁控溅射孔位对应的通孔;
3〕采用掩模版C1~掩模版Cm-1依次覆盖于步骤2〕处理过的传感器衬底上,并依次采用m-1种溅射材料,通过磁控溅射分别生长到磁控溅射孔位上; m-1种溅射材料,依次被编号为i,i=1、2……m-1;这m-1种溅射材料与步骤2〕中所述n种溅射材料均不同;其中,第i种溅射材料生长到第i行的n/2个磁控溅射孔位上和第i+1行的n/2个磁控溅射孔位上,n为奇数时,n/2舍位取整;其中,掩模版C1具有与第1行和第2行磁控溅射孔位对应的n/2个通孔、掩模版C2具有与第2行和第3行磁控溅射孔位对应的n/2个通孔……掩模版C1具有与第1行磁控溅射孔位对应的n/2个通孔。
进一步,磁控溅射材料选自MoS2、ZnO、WO3、TiO2、SnO2、C、HfO2、Ta2O5、Ga2O3。
进一步,步骤2〕和/或步骤3〕中,在完成材料溅射后,对溅射材料进行参杂;参杂选用的金属为Cu、Al、W、Pt、Cr、Mn、Ag、Ce、Sb。
进一步,步骤3〕中,第i行的n/2个磁控溅射孔位上和第i+1行的n/2个磁控溅射孔位错位分布。
本发明还公开一种基于上述传感器的智能气体检测方法,其特征在于:将所述传感器的电极接入测量电路,采集传感器阵列中,n×m个阵列单元对不同气体的动态实时响应曲线;对响应曲线提取稳态响应特征和动态响应特征,通过机器学习,建立和训练用于识别气体种类的模型;在利用所述传感器检测待测气体时,通过测量电路获取测量参数,并输入所述用于识别气体种类的模型,实现待测气体种类的识别。即通过对信号进行特征提取和分析,以及模式识别算法,得到传感器特性参数与被测气体间的内在联系机制,实现选择性和探测精度等气敏性能的提升。
附图说明
图1为实施例3的传感器实物图;
图2为阵列单元示意图;
图3为实施例3步骤1的掩模版A示意图;
图4为实施例3步骤2的掩模版B1~B4示意图;
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