[发明专利]一种薄膜叠层太阳能电池及制造方法在审
申请号: | 202111575184.0 | 申请日: | 2021-12-21 |
公开(公告)号: | CN114284378A | 公开(公告)日: | 2022-04-05 |
发明(设计)人: | 彭寿;殷新建;官敏;吴一民;常郑;陈瑛;舒毅;唐茜;蒋猛;傅干华;潘锦功 | 申请(专利权)人: | 成都中建材光电材料有限公司 |
主分类号: | H01L31/0445 | 分类号: | H01L31/0445;H01L31/18 |
代理公司: | 成都市集智汇华知识产权代理事务所(普通合伙) 51237 | 代理人: | 李华;温黎娟 |
地址: | 610000 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 薄膜 太阳能电池 制造 方法 | ||
本发明公开了一种薄膜叠层太阳能电池及制造方法,所述太阳能电池包括堆叠的第一层电池和第二层电池;所述第一层电池为掺硒碲化镉电池,第二层电池为钙钛矿电池;所述掺硒碲化镉电池包括依次设置的衬底、光吸收层、背接触缓冲层I、背接触缓冲层II、背电极层;所述钙钛矿电池包括依次设置的衬底、空穴传输层、光吸收层、背电极层;所述掺硒碲化镉电池与钙钛矿电池的背电极层相对设置,并且掺硒碲化镉电池的负极与钙钛矿电池的正极相连。通过两种不同带隙的光伏太阳能电池堆叠,拓宽吸收带隙,提高转换效率。
技术领域
本发明涉及一种光伏太阳能电池及其制造方法。
背景技术
在一个标准的单结太阳能电池中,能量低于半导体带隙能量的光子无法被吸收,而能量高于带隙能量的光子从他们被提取的地方热化到带隙边缘。单结电池效率Skockley-Queisser极限(33%)。传统的太阳能薄膜电池一般都是单层的,且传统的单层薄膜电池如碲化镉,铜铟镓硒,砷化镓,钙钛矿等在大面积制备的过程中,效率提升比较缓慢,提升一个点可能需要几年甚至十年的时间,这对生产企业来说,通过提升效率降低成本有很大的困难。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种薄膜叠层太阳能电池及制造方法,通过两种不同带隙的光伏太阳能电池堆叠,拓宽吸收带隙,提高转换效率。
为解决以上技术问题,本发明提供一种薄膜叠层太阳能电池,包括堆叠的第一层电池和第二层电池;所述第一层电池为掺硒碲化镉电池,第二层电池为钙钛矿电池;所述掺硒碲化镉电池包括依次设置的衬底、光吸收层、背接触缓冲层I、背接触缓冲层II、背电极层;所述钙钛矿电池包括依次设置的衬底、空穴传输层、光吸收层、背电极层;所述掺硒碲化镉电池与钙钛矿电池的背电极层相对设置,并且掺硒碲化镉电池的负极与钙钛矿电池的正极相连。
作为一种改进,所述掺硒碲化镉电池的衬底为掺氟导电玻璃,光吸收层为掺硒碲化镉,背接触缓冲层I为本征碲化锌,背接触缓冲层II为掺铜碲化锌,背电极层为钼电极。
作为一种改进,所述钙钛矿电池的衬底为掺氟导电玻璃,空穴传输层为氧化镍,光吸收层为无机钙钛矿,背电极层掺锡氧化铟电极。
作为一种优选,所述第一层电池和第二层电池分别被分割成若干串联的子电池。
作为一种改进,所述第一层电池利用若干纵向开设的一层刻线I和一层刻线III分割成若干子电池;所述一层刻线I和一层刻线III平行且间隔交错设置;所述一层刻线I贯穿衬底导电层、光吸收层、背接触缓冲层I、背接触缓冲层II通达电极层,其内填充有光刻胶绝缘形成负极电极分割;所述一层刻线III贯穿电极层、背接触缓冲层II、背接触缓冲层I、光吸收层通达衬底形成正极电极分割;每个子电池之间具有纵向开设的一层刻线II,所述一层刻线II贯穿光吸收层、背接触缓冲层I背接触缓冲层II通达电极层,其内填充有钼从而形成导电通道。
作为一种优选,所述第二层电池利用若干纵向开设的二层刻线I和二层刻线III分割成若干子电池;所述二层刻线I和二层刻线III平行且间隔交错设置;所述二层刻线I贯穿衬底导电层通达空穴传输层,其内填充有氧化镍形成正极电极分割;所述二层刻线III贯穿光吸收层、背电极层形成负极电极分割;每个子电池之间具有纵向开设的二层刻线II,所述二层刻线II贯穿空穴传输层、光吸收层通达背电极层,其内填充有掺锡氧化铟从而形成导电通道。
作为一种改进,所述第一层电池和第二层电池利用透明胶膜粘合在一起。
作为一种改进,第一层电池设置有正极引出端和负极引出端,第二层电池设置有正极引出端和负极引出端;并且第一层电池、第二层电池的正极引出端和负极引出端正对。
作为一种改进,所述第一层电池负极引出端与第二层电池的正极引出端连接。
本发明还提供一种薄膜叠层电池的制造方法,包括:制备第一层电池;制备第二层电池;将第一层电池和第二层电池堆叠。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都中建材光电材料有限公司,未经成都中建材光电材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111575184.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种自动IED芯片焊线装置
- 下一篇:一种可溶性农药颗粒剂及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的