[发明专利]一种声表面滤波器的键合方法及其键合结构

权利要求书

1.一种声表面滤波器的键合结构，其特征在于，所述键合结构包括第一键合金属层、第二键合金属层和第三键合金属层；所述第三键合金属层设置于所述声表面滤波器的盖板下表面的键合面上；所述第一键合金属层设置于所述第三键合金属层非盖板一侧的表面上；所述第二键合金属层设置于所述声表面滤波器的基体上表面与所述盖板进行键合的键合面上；所述第一键合金属层上设有多组键合凹槽；所述第二键合金属层上设置有与所述键合凹槽形状和数量相同，但高度与所述键合凹槽深度尺寸不同的多组键合凸起；

所述键合结构通过如下方式形成：

步骤1、在临时衬底上按照键合凹槽的形状和尺寸设置牺牲层区域；

步骤2、在所述牺牲层区域上表面制备第一键合金属层；其中，所述第一键合金属层的上表面相距于所述牺牲层区域最高顶点之间的垂直距离大于1.5μm且不得超过2.5μm；

步骤3、在所述声表面滤波器的基体的键合面上制备第二键合金属层；在所述声表面滤波器的盖板的键合面上制备第三键合金属层；

步骤4、在所述第一键合金属层和第三键合金属层的键合表面上进行研磨和活性处理，并在研磨和活性处理后将所述第一键合金属层与所述第三键合金属层进行键合连接；

步骤5、利用湿法腐蚀或干法蚀刻的方式去除临时衬底和牺牲层区域，使所述第一键合金属层上形成键合凹槽；

步骤6、将带有第二键合金属层的基体与带有第一键合金属层和第三键合金属层的盖板进行键合对接；

其中，步骤6所述将带有第二键合金属层的基体与带有第一键合金属层和第三键合金属层的盖板进行键合对接，包括：

步骤601、对所述第二键合金属层及键合凸起的表面进行研磨和活性处理，同时，对所述第一键合金属层及键合凹槽的表面进行研磨和活性处理；

步骤602、将所述第二键合金属层及键合凸起嵌于所述第一键合金属层及键合凹槽上；

步骤603、对所述基体和盖板进行相互挤压，使所述键合凸起在抵住所述键合凹槽底端时，继续向前延展挤压，直至所述第一键合金属层表面和第二键合金属层表面相抵，并且所述键合凸起探伸至所述第三键合金属层内；

步骤604、持续挤压所述基体和盖板直至所述第一键合金属层与第二键合金属层和第三键合金属层键合稳固。

2.根据权利要求1所述键合结构，其特征在于，每组所述键合凸起包括一个中心键合凸起和两个侧边键合凸起；所述中心键合凸起和侧边键合凸起的高度大于与所述中心键合凸起和侧边键合凸起对应的键合凹槽的深度。

3.根据权利要求2所述键合结构，其特征在于，所述中心键合凸起和侧边键合凸起的高度尺寸相比于所述中心键合凸起和侧边键合凸起对应的键合凹槽的深度尺寸的余量高度范围为3.0μm-5.0μm。

4.根据权利要求2所述键合结构，其特征在于，所述侧边键合凸起等间距分布于所述中心键合凸起的两侧；所述中心键合凸起和侧边键合凸起位于同一直线上；所述侧边键合凸起与所述中心键合凸起之间的直线距离范围为1.5μm-2μm。

5.根据权利要求2所述键合结构，其特征在于，所述中心键合凸起采用顶部为圆弧状的柱体结构；所述侧边键合凸起采用等边梯形柱体结构。

6.根据权利要求5所述键合结构，其特征在于，所述侧边键合凸起的上表面为正方形表面，并且，所述正方形表面的边长范围为0.7-1.2μm。

7.根据权利要求1所述键合结构，其特征在于，所述第一键合金属层与第三键合金属层的厚度之间的比例关系如下：

H₃＝αH₁，α∈[0.28,0.4]

其中，所述第一键合金属层的厚度范围为200μm-280μm；α表示厚度调整系数；H₁和H₃分别表示第一键合金属层与第三键合金属层的厚度值。