[发明专利]一种移相器的矢量合成结构

说明书

本发明提供了一种移相器的矢量合成结构，包括：第一矢量合成支路和第二矢量合成支路；其中，所述第一矢量合成支路包括：第一尾电流源、第一DAC偏置电路、以及第一栅宽控制电路，所述第一尾电流源包括多个宽长比逐步递增的第一尾电流单元，所述第一DAC偏置电路对应设置有多个第一电流镜偏置单元；所述第二矢量合成支路包括：第二尾电流源、第二DAC偏置电路、以及第二栅宽控制电路，所述第二尾电流源包括多个宽长比逐步递增的第二尾电流单元，所述第二DAC偏置电路对应设置有多个第二电流镜偏置单元，本发明在保证移相精度的同时，能提高有源移相器的线性度。

【技术领域】

本发明涉及电子技术领域，尤其涉及一种移相器的矢量合成结构。

【背景技术】

相控阵系统由于信号在某一方向可以叠加，所以它可以提高信噪比，并且具有波束赋形，波束扫描的功能。移相器作为相控阵系统的关键模块，其重要性不言而喻，根据移相器在系统中的位置可以分为本振移相，中频移相以及射频移相。现有的有源移相器架构如图1所示，包含正交产生器，VGA，矢量合成单元以及DAC。其中，如图2所示是现有的矢量合成架构，主要包含了吉尔伯特单元，为尾电流源偏置的DAC电路，通过改变I，Q两路的电流比值可以进行移相。

现有技术矢量合成由于采用的是吉尔伯特结构，致使MOS管 M9-M14都工作在饱和区，并且会有一定的Vdsat(饱和漏源电压)，RF差分对管的电压裕度会减小，摆幅减小，从而使线性度会较差。

【发明内容】

本发明的目的是克服上述至少一个技术问题，提供移相器的矢量合成结构。

为了实现上述目的，本发明提供一种移相器的矢量合成结构，包括：第一矢量合成支路和第二矢量合成支路；其中，

所述第一矢量合成支路包括：第一尾电流源、第一DAC偏置电路、以及第一栅宽控制电路，所述第一尾电流源包括多个宽长比逐步递增的第一尾电流单元，所述第一DAC偏置电路对应设置有多个第一电流镜偏置单元；

所述第二矢量合成支路包括：第二尾电流源、第二DAC偏置电路、以及第二栅宽控制电路，所述第二尾电流源包括多个宽长比逐步递增的第二尾电流单元，所述第二DAC偏置电路对应设置有多个第二电流镜偏置单元。

优选的，所述第一栅宽控制电路包括第一MOS管、第二MOS 管、第三MOS管、以及第四MOS管，所述第一MOS管、第四 MOS管的栅极相连并与第一输入信号连接，所述第二MOS管、第三 MOS管的栅极相连并与第二输入信号连接。

优选的，所述第二栅宽控制电路包括第五MOS管、第六MOS 管、第七MOS管、以及第八MOS管；所述第一MOS管、第四 MOS管的栅极相连并与第一输入信号连接，所述第二MOS管、第三 MOS管的栅极相连并与第二输入信号连接。

优选的，每个所述第一尾电流单元包括：第一一MOS管、第一二MOS管、以及第一三MOS管，其中，第一一MOS管、第一二 MOS管的栅极分别通过第一开关、第二开关连接至所述第一DAC偏置电路的第一端口，第一一MOS管、第一二MOS管的源极相连并连接至所述第一三MOS管的漏极，所述第一三MOS管的栅极连接至所述第一DAC偏置电路的第二端口，所述第一三MOS管的源极接地设置。

优选的，每个所述第二尾电流单元包括：第二一MOS管、第二二MOS管、以及第二三MOS管，其中，第二一MOS管、第二二 MOS管的栅极分别通过第三开关、第四开关连接至所述第二DAC偏置电路的第三端口，第二一MOS管、第二二MOS管的源极相连并连接至所述第二三MOS管的漏极，所述第二三MOS管的栅极连接至所述第二DAC偏置电路的第四端口，所述第二三MOS管的源极接地设置。

优选的，所述第一尾电流源中多个第一尾电流单元的宽长比从到以二进制的形式递增，所述第二尾电流源中多个第二尾电流单元的宽长比从到以二进制的形式递增。