[发明专利]太阳能薄膜电池及其制作方法有效
| 申请号： | 202111575904.3 | 申请日： | 2021-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN113964244B | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 唐茜;傅干华;蒋猛;潘锦功;彭寿 | 申请（专利权）人： | 成都中建材光电材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0296;H01L31/0445 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 杨勋 |
| 地址： | 610200 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太阳能 薄膜 电池 及其 制作方法 | ||
1.一种太阳能薄膜电池的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底上沉积金属层；
在所述金属层之上沉积光吸收层，所述光吸收层包括CdTe层和掺杂V族元素的CdTe:V层，所述CdTe:V层相对于所述CdTe层靠近所述金属层，所述CdTe:V层的厚度为1~3μm，所述CdTe层的厚度为1~3μm，所述CdTe:V层的厚度大于所述CdTe层的厚度；
在所述光吸收层之上沉积窗口层，并进行CdCl2后处理；
在所述窗口层之上沉积TCO层。
2.根据权利要求1所述的太阳能薄膜电池的制作方法，其特征在于，所述CdCl2后处理的温度为300~500℃。
3.根据权利要求2所述的太阳能薄膜电池的制作方法，其特征在于，所述CdCl2后处理的保温时长为5~30min。
4.根据权利要求1所述的太阳能薄膜电池的制作方法，其特征在于，所述V族元素为As、P、Sb中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的太阳能薄膜电池的制作方法，其特征在于，所述光吸收层使用近空间升华方法沉积，所述金属层使用磁控溅射法沉积。
6.根据权利要求1所述的太阳能薄膜电池的制作方法，其特征在于，所述TCO层为FTO、AZO、ITO、MZO中的一种或多种。
7.根据权利要求1所述的太阳能薄膜电池的制作方法，其特征在于，所述窗口层为CdS或者CdSe。
8.根据权利要求1所述的太阳能薄膜电池的制作方法，其特征在于，所述衬底为镀TCO膜层的玻璃。
9.一种太阳能薄膜电池，其特征在于，由权利要求1-8中任一项所述的太阳能薄膜电池的制作方法制得。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
