[发明专利]用于高压的电路及相关芯片和电子装置

说明书

本申请公开了一种用于高压的电路及相关芯片和电子装置。该用于高压的电路包括:耐压电路，操作于第一参考电压和接地电压之间，且包括P型晶体管以及N型晶体管，其栅极‑源极工作驱动电压小于第一参考电压；以及控制信号电平移位电路，用来依据P型晶体管控制信号产生电平移位后P型晶体管控制信号，以及依据N型晶体管控制信号产生电平移位后N型晶体管控制信号，其中电平移位后P型晶体管控制信号耦接P型晶体管的栅极，电平移位后N型晶体管控制信号耦接N型晶体管的栅极。本申请提供的用于高压的电路及相关芯片和电子装置，可以使电路正常操作于较高的参考电压，省去了重新设计以及采用高压器件的成本。

技术领域

本申请实施例涉及电子电路技术领域，尤其涉及一种用于高压的电路及相关芯片和电子装置。

背景技术

在便携式消费电子中，电源供给通常来自于锂电池/干电池，其中锂电池逐渐成为主流的电源，但其电压输出范围可能高于芯片中电子器件的耐压范围。一般的作法是改用高压器件来承受高电压输出范围，然而高压器件的使用可能需要更高层数的掩模版，并且往往需要占用更多的芯片面积，这些都意味着更高的制造成本。

发明内容

本申请的目的之一在于提供一种用于高压的电路及相关芯片和电子装置，来解决上述问题。

第一方面，本申请的一实施例提供了一种用于高压的电路，包括:耐压电路，操作于第一参考电压和接地电压之间，其中所述耐压电路包括P型晶体管以及N型晶体管，所述P型晶体管以及所述N型晶体管的栅极-源极工作驱动电压小于所述第一参考电压，所述P型晶体管的源极耦接至所述第一参考电压，所述N型晶体管的源极耦接至所述接地电压；以及控制信号电平移位电路，用来依据P型晶体管控制信号产生电平移位后P型晶体管控制信号，以及依据N型晶体管控制信号产生电平移位后N型晶体管控制信号，其中所述电平移位后P型晶体管控制信号耦接所述P型晶体管的栅极，所述电平移位后N型晶体管控制信号耦接所述N型晶体管的栅极，所述控制信号电平移位电路包括：中间电平产生电路，用来依据所述第一参考电压产生第三参考电压以及第四参考电压，其中所述第一参考电压高于所述第四参考电压，所述第四参考电压高于所述第三参考电压；第一电平移位电路，用来将所述P型晶体管控制信号的高电压电平和低电压电平转换至所述第一参考电压以及所述第三参考电压，以产生所述电平移位后P型晶体管控制信号；以及第二电平移位电路，用来将所述N型晶体管控制信号的高电压电平和低电压电平转换至所述第四参考电压以及所述接地电压，以产生所述电平移位后N型晶体管控制信号。

作为一种可能的实施方式，所述第一电平移位电路包括：第一电平移位器，用来将所述P型晶体管控制信号的所述高电压电平和所述低电压电平转换至所述第四参考电压以及所述接地电压，以产生初步电平移位后P型晶体管控制信号；以及第二电平移位器，用来将所述初步电平移位后P型晶体管控制信号的高电压电平和低电压电平从所述第四参考电压以及所述接地电压转换至所述第一参考电压和所述第三参考电压，以产生所述电平移位后P型晶体管控制信号。

作为一种可能的实施方式，所述第二电平移位电路包括：第三电平移位器，用来将所述N型晶体管控制信号的所述高电压电平和所述低电压电平转换至所述第四参考电压以及所述接地电压，以产生所述电平移位后N型晶体管控制信号。

作为一种可能的实施方式，所述耐压电路包括电源转换器，用来将所述第一参考电压转换为第二参考电压，其中所述第一参考电压高于所述第二参考电压。

作为一种可能的实施方式，所述第四参考电压和所述接地电压之间具有特定电压差，所述P型晶体管以及所述N型晶体管的栅极-源极工作驱动电压和所述特定电压差相等。

作为一种可能的实施方式，所述第四参考电压和所述接地电压之间具有特定电压差，且所述第一参考电压和所述第三参考电压的差和所述特定电压差相等。

作为一种可能的实施方式，所述P型晶体管控制信号的所述高电压电平和所述N型晶体管控制信号的所述高电压电平相等，所述P型晶体管控制信号的所述低电压电平和所述N型晶体管控制信号的所述低电压电平相等。