[发明专利]二极管加工方法及二极管

说明书

本申请实施例提供了一种二极管加工方法及二极管。该方法包括：获取基底层，基底层包括层叠设置的衬底层、外延过渡层以及外延层；在外延层的形成面形成多个凹槽，外延层的形成面为背离外延过渡层的表面；在形成面上形成阳极层；在阳极层上形成第一金属层，且在衬底层背离外延过渡层的表面形成第二金属层。

技术领域

本申请涉及二极管技术领域，具体涉及一种二极管加工方法及二极管。

背景技术

随着科技的发展，二极管的应用越来越广泛。通常，在加工二极管时，在硅片上注入硼元素，使得硼元素形成阳极层。但在注入硼元素时，硼元素较多的进入硅片中，导致硅片中的硼元素增大，从而使得最终形成的二极管的关断软度较小，影响二极管的电磁兼容性。

申请内容

本申请实施例提供了一种二极管加工方法及二极管，以解决相关技术中二极管的关断软度较小，影响二极管的电磁兼容性的问题。

为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：

第一方面，本申请实施例提供了一种二极管加工方法，所述方法包括：

获取基底层，所述基底层包括层叠设置的衬底层、外延过渡层以及外延层；

在所述外延层的形成面形成多个凹槽，所述外延层的形成面为背离所述外延过渡层的表面；

在所述形成面上形成阳极层；

在所述阳极层上形成第一金属层，且在所述衬底层背离所述外延过渡层的表面形成第二金属层。

可选地，所述在所述外延层的形成面形成多个凹槽，包括：

通过高能粒子轰击所述形成面，以形成多个所述凹槽。

可选地，所述在所述外延层的形成面形成多个凹槽，包括：

蚀刻所述形成面，以形成多个所述凹槽。

可选地，所述获取基底层，包括：

获取所述衬底层；

在所述衬底层的第一面上形成外延过渡层；

在所述外延过渡层的第一面上形成所述外延层。

可选地，所述阳极层的厚度范围为2微米至10微米。

可选地，在所述形成面上形成阳极层之前，所述方法还包括：

通过电子辐照所述外延层以及所述基底层，以增加所述二极管的使用寿命。

可选地，在所述形成面上形成阳极层之前，所述方法还包括：

在所述外延层以及所述基底层的表面形成铂金属层，以增加所述二极管的使用寿命。

可选地，所述阳极层具有多个凹陷部，每个所述凹陷部的凹口背离所述形成面。

可选地，所述凹槽的深度范围为10纳米-100纳米。

可选地，所述在所述形成面上形成阳极层，包括：

在所述形成面上注入硼元素，以使所述硼元素在所述形成面上形成所述阳极层；其中，所述硼元素的注入密度为2*10¹²-5*10¹³cm^-2中任一数值。

第二方面，本申请实施例提供了一种二极管，所述二极管由上述第一方面中任一项所述的二极管加工方法加工而成。