[发明专利]一种改善EMI的超结结构及制造方法在审
| 申请号： | 202111577977.6 | 申请日： | 2021-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN114464533A | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 肖晓军;胡丹丹 | 申请（专利权）人： | 龙腾半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 | 代理人： | 李罡 |
| 地址： | 710018 陕西省西安市未*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 emi 结构 制造 方法 | ||
1.一种超结MOSFET结构的制造方法，其特征在于：
所述方法包括以下步骤：
步骤1：在N+衬底上生长一层外延层N-，再长一层外延层N-2；
步骤2：在外延层N-2的上面继续生长外延层N-，再长一层外延层N-2,继续生长外延层N-至达到目标外延厚度；
步骤3：在N-外延表面，通过Trench光刻板，刻蚀出深沟槽后生长一定浓度的P型外延，使之填充满沟槽，进行CMP工艺，将沟槽外的P型外延及N型外延一并去掉，形成N柱P柱相交替的超结结构；
步骤4：通过PW光刻板注入体区并退火形成PWELL区，淀积场氧层成并回刻，通过栅氧Gox、多晶硅淀积回刻形成器件的栅结构；
步骤5：注入As并退火形成器件的源极N-source；
步骤6：淀积ILD并回刻，孔注，最后淀积金属并回刻，形成器件的最终结构。
2.根据权利要求1所述的一种超结MOSFET结构的制造方法，其特征在于：
所述外延层N-电阻率高于外延层N-2。
3.根据权利要求2所述的一种超结MOSFET结构的制造方法，其特征在于：
所述外延层N-的电阻率为外延层N-2的2倍。
4.根据权利要求3所述的一种超结MOSFET结构的制造方法，其特征在于：
所述外延层N-2厚度为2um。
5.根据权利要求1所述的一种超结MOSFET结构的制造方法，其特征在于：
三次生长的外延层N-厚度依次减少。
6.根据权利要求1所述的一种超结MOSFET结构的制造方法，其特征在于：
步骤1中，外延层N-厚度为目标外延厚度的60%。
7.根据权利要求1所述的一种超结MOSFET结构的制造方法，其特征在于：
步骤2中，第一次生长外延层N-时，厚度达到目标外延厚度的90%。
8.如权利要求1所述的制造方法获得的一种超结MOSFET结构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于龙腾半导体股份有限公司，未经龙腾半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111577977.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
