[发明专利]一种贵金属-二维过渡金属硫族化合物异质结构、制备方法及其应用

权利要求书

1.一种贵金属-二维过渡金属硫族化合物异质结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

步骤S1、提供二维过渡金属硫族化合物纳米片；步骤S1具体步骤如下：

将石墨棒切成薄片，用磨料布抛光至接近镜面的表面，放入第一瓷舟中，并在上面加入氯化钼，第一瓷舟放置于管式炉下游，另取第二瓷舟将单质硫放置在管式炉上游；在120sccm以上的氩气流量下，将管式炉重新填充到设定压力，并加热到520℃以上，反应20分钟以上后在氩气下自然冷却；其中，氩气从管式炉的上游方向流向管式炉的下游方向；在手套箱中，使用正丁基锂将MoS₂与石墨底物剥离：将上一步合成的生长在石墨上的MoS₂样品浸泡在正丁基锂的庚烷溶液一定时间后，之后用庚烷多次清洗，加入去氧水，使用梯度离心方法获得少层MoS₂纳米片；其中，所述正丁基锂的庚烷溶液的浓度为2.7 mol/L；所述一定时间为10-100小时；

步骤S2、使用湿化学方法合成贵金属-二维过渡金属硫族化合物异质结构，具体步骤如下：

在室温下，将7.5 mg MoS₂纳米片、1 ml H₂PtCl₆水溶液和9 mg PVP混合在10 ml去离子水中，并保持搅拌30分钟以得到混合液，然后将10 mg NaBH₄粉末快速加入上述混合液并继续搅拌30分钟后，离心收集产物，用乙醇和去离子水洗涤数次，之后，将所得产物烘干；其中，H₂PtCl₆水溶液的浓度为20 mM；

其中，所述异质结构为Pt-MoS₂复合材料；所述Pt-MoS₂复合材料中负载Pt单晶是由{111}和{200}小面包围的约半截断八面体形状；所述Pt-MoS₂复合材料在10 mA·cm^-2电流密度下的过电位为67.4 mV，所述Pt-MoS₂复合材料的Tafel斜率为76.2 mV·dec^-1。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，氯化钼与单质硫的质量比为1：1~1：4。

3.一种基于界面电子调控的贵金属-二维过渡金属硫族化合物异质结构，其特征在于，所述异质结构采用权利要求1-2任一项所述的方法制备而成。

4.将权利要求3所述的异质结构作为HER催化剂的应用。